三维陶瓷基板制备技术-高低温共烧陶瓷基板

许多微电子器件 (如加速度计、陀螺仪、深紫外 LED 等) 芯片对空气、湿气、灰尘等非常敏感。如 LED 芯片理论上可工作 10 万小时以上，但水汽侵蚀会大大缩短其寿命 (甚至降低至几千小时)。
为了提高这些微电子器件性能 (特别是可靠性)，必须将其芯片封装在真空或保护气体中，实现气密封装 (芯片置于密闭腔体中，与外界氧气、湿气、灰尘等隔绝)。因此，必须首先制备含腔体 (围坝)结构的三维基板，满足封装应用需求。
目前，常见的三维陶瓷基板主要有：高/低温共烧陶瓷基板(High/Low Temperature Co-fired Ceramic Substrate， HTCC/LTCC) 、多 层 烧 结 三 维 陶 瓷 基 板 (MultilayerSintering Ceramic Substrate，MSC)、直接粘接三维陶瓷基板 (Direct Adhere Ceramic Substrate，DAC)、多层镀铜三维陶瓷基板(Multilayer Plated Ceramic Substrate，MPC) 以及直接成型三维陶瓷基板(Direct Molding Ceramic Substrate，DMC) 等。

高/低温共烧陶瓷基板 (HTCC/LTCC)
HTCC 基板制备过程中先将陶瓷粉 (Al2O3 或 AlN) 加入有机黏结剂，混合均匀后成为膏状陶瓷浆料，接着利用刮刀将陶瓷浆料刮成片状，再通过干燥工艺使片状浆料形成生胚；然后根据线路层设计钻导通孔，采用丝网印刷金属浆料进行布线和填孔，最后将各生胚层叠加，置于高温炉 (1600°C) 中烧结而成。
由于 HTCC 基板制备工艺温度高，