SIP芯片堆叠后发热量将增加,但散热面积相对并未增加,因而发热密度大幅提高,而且由于热源的相互连接,热耦合增强,从而造成更为严重的热问题。同时,内埋置基板中的无源器件也有一定的发热问题。因此,SIP在封装体积缩小、组装密度增加的同时必然带来散热的问题,选择散热效果更好即热导率更高的陶瓷材料是实现SIP的关键。
AIN陶瓷具有较高的热导率,其膨胀系数与Si材料更匹配,且介电常数低,适用于高功率、多引线和大尺寸芯片,是替代AI2O3、BeO基板材料的最好材料。近年来AIN 陶瓷的研究受到世界各国的青睐,其研究与开发已经取得令人瞩目的进展。
虽然AIN陶瓷的应用前景十分广阔,但作为理想的基板材料,还存在着成本高,高温下难致密烧结,生产中的重复性差等问题。因此,如果能大幅度降低优质粉体的合成成本,引入合适的烧结助剂,实现在较低温度下致密烧结,稳定地获得高质量的流延基片,并解决其金属化的问题,它将在SIP领域获得越来越广泛的应用。
1.2 低温共烧陶瓷材料
低温共烧陶瓷(LowTemperature Co-fired Ceramic,LTCC)技术是近年来兴起的一种令人瞩目的多学科交叉的整合组件技术,因其优异的电子、热机械特性已成为未来电子组件集成化、模组化的首选方式。它采用厚膜材料,根据预先设计的结构,将电极材料、基板、电子器件等一次烧成,是一种实现SIP最有希望的电子封装技术。
LTCC采用低温