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RSS订阅原创 晶圆代工
芯片的竞争其实是基础层面的竞争，包括基础物理、材料、软件。表层上是制造能力的差距，实则是制造所用的设备、原材料、软件的缺失，而这些涉及到的都是基础科学。
2021-10-15 02:43:39
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原创 VGS
总结：VGS做场氧就可以。场氧后腐蚀掉，然后再栅氧，光刻出图形，测试得结果。场氧后得腐蚀把做的场氧全部腐蚀掉，此时如果炉子有颗粒等，会造成表面缺陷增加，影响到栅氧，此时的VGS就容易不合格，以上就将场氧栅氧一次性验证。外延层越薄，VGS合格率越低。...
2020-08-17 22:58:22
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原创 假片漂洗
多晶假片漂洗，用氢氟酸加硝酸，去除多晶，多晶下面的氧化层也会被腐蚀掉，而裸硅也不安全，会被硝酸氧化，氢氟酸再把氧化层刻蚀掉。以上造成多晶漂洗难以实现，难免有氧化层甚至裸硅被腐蚀掉。提出的解决方案就是定时关注漂洗状态，到氧化层了就要慎重，既要漂洗干净不残留多晶，又要保留一定的氧化层。VGS样片已经做到1612/1651的水平，可以通过显微镜看到栅氧时候的缺陷，如果是划伤类型，则是几个小黑点成一条线。...
2020-08-10 22:27:26
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原创 沾污——显微镜的使用
通过显微镜，能够更好的看到沾污颗粒的形态，与膜层的关系。首先在强光下查看颗粒的位置，然后将其移至显微镜镜头下对焦，亮场下更容易找到颗粒而暗场下更容易查看其形貌，因为暗场对比度更高。切换亮/暗场时要注意光强，暗场光强是开到最大，直接切换到亮场会非常刺眼。如果到现在还判断不了颗粒所在层次，可以通过刀片在显微镜下拨动颗粒，在亮场下原位置有亮斑则在层中，若和周围无差异则为膜层生长之后掉落。...
2020-08-01 19:49:01
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原创 颗粒度测试
根据要测试的设备设计整个测试流程，需要在三个白间来回穿梭，需要倒腾框子，十分麻烦，因为以上因素把一个简简单单大的数据收集实验搞的十分复杂。想办法把倒腾框子这一环节去掉，不过对于操作要求稍有提高，因为小框子和片盒不匹配，会使片子卡在片盒上盖，带来片子带出问题，昨天就是因为这样造成了两片的损失，直到今天这个实验才发现。从多个角度遇到问题，使对问题认识的更全面，更有可能看到本质进而解决问题。今天颗粒度的结果大大出乎意料，明天继续探索~...
2020-07-30 21:56:43
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原创 流量测量&腐蚀速度
如果你在一个简陋的实验环境，而正好需要测量气体流量，只需要有一个量筒、水桶、水就可以完成实验。首先，桶中装入适量的水；然后，量筒装满水并倒扣在水桶中，保证量筒被水充满，即不存在气体、气泡；将气管从量筒口端插入，同时计时；时间结束后，排除量筒的水的体积约等于气体体积，然后就可以计算出气体流量。BPSG和TEOS在不同清洗条件下的腐蚀速度：条件：HF、1#、2#、HF+1#+2#实验过程：a.两种硅片各取4片，测量清洗前膜厚；b.各取一片进行HF清洗；同理进行1#、2#、HF+.
2020-07-22 22:00:57
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原创 芯片工艺——扩散
扩散是掺杂的一种方式（另一种是离子注入），大致可分为三步：预淀积、推进和激活。实际操作中需八步：质量测试、批控制系统、工艺菜单、开启扩散炉、清洗硅片、、预淀积、推进、测量。...
2020-07-17 22:34:47
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原创 IC版图设计过程
IC版图设计主要是画金属，设计过程如下：Step1：准备阶段：设计原理图输入+文艺文件设置Step2：设计输入：版图设计Step3：设计验证：设计规则检查（DRC）+匹配检测（LVS）；Step4：性能验证：寄生参数提取（RCX）+后仿真验证设计规则考虑了工艺技术、缺陷密度、寄生效应等因素，规定了同层与不同层之间的最小距离，同时也限制了最小面积。...
2020-07-05 22:01:19
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原创 数字电路
数字电路分为两大类：组合逻辑电路，如加法器、数值比较器、表决器，输出只由此时输入决定。时序逻辑电路：如锁存器、触发器、寄存器，不同于组合逻辑电路——输出还受上次输出影响，即有记忆功能。...
2020-07-05 21:41:09
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空空如也
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