芯片工艺
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这个作者很懒,什么都没留下…
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VGS
总结:VGS做场氧就可以。场氧后腐蚀掉,然后再栅氧,光刻出图形,测试得结果。场氧后得腐蚀把做的场氧全部腐蚀掉,此时如果炉子有颗粒等,会造成表面缺陷增加,影响到栅氧,此时的VGS就容易不合格,以上就将场氧栅氧一次性验证。外延层越薄,VGS合格率越低。...原创 2020-08-17 22:58:22 · 763 阅读 · 0 评论 -
假片漂洗
多晶假片漂洗,用氢氟酸加硝酸,去除多晶,多晶下面的氧化层也会被腐蚀掉,而裸硅也不安全,会被硝酸氧化,氢氟酸再把氧化层刻蚀掉。以上造成多晶漂洗难以实现,难免有氧化层甚至裸硅被腐蚀掉。提出的解决方案就是定时关注漂洗状态,到氧化层了就要慎重,既要漂洗干净不残留多晶,又要保留一定的氧化层。VGS样片已经做到1612/1651的水平,可以通过显微镜看到栅氧时候的缺陷,如果是划伤类型,则是几个小黑点成一条线。...原创 2020-08-10 22:27:26 · 148 阅读 · 0 评论 -
沾污——显微镜的使用
通过显微镜,能够更好的看到沾污颗粒的形态,与膜层的关系。首先在强光下查看颗粒的位置,然后将其移至显微镜镜头下对焦,亮场下更容易找到颗粒而暗场下更容易查看其形貌,因为暗场对比度更高。切换亮/暗场时要注意光强,暗场光强是开到最大,直接切换到亮场会非常刺眼。如果到现在还判断不了颗粒所在层次,可以通过刀片在显微镜下拨动颗粒,在亮场下原位置有亮斑则在层中,若和周围无差异则为膜层生长之后掉落。...原创 2020-08-01 19:49:01 · 167 阅读 · 0 评论 -
颗粒度测试
根据要测试的设备设计整个测试流程,需要在三个白间来回穿梭,需要倒腾框子,十分麻烦,因为以上因素把一个简简单单大的数据收集实验搞的十分复杂。想办法把倒腾框子这一环节去掉,不过对于操作要求稍有提高,因为小框子和片盒不匹配,会使片子卡在片盒上盖,带来片子带出问题,昨天就是因为这样造成了两片的损失,直到今天这个实验才发现。从多个角度遇到问题,使对问题认识的更全面,更有可能看到本质进而解决问题。今天颗粒度的结果大大出乎意料,明天继续探索~...原创 2020-07-30 21:56:43 · 395 阅读 · 0 评论 -
流量测量&腐蚀速度
如果你在一个简陋的实验环境,而正好需要测量气体流量,只需要有一个量筒、水桶、水就可以完成实验。首先,桶中装入适量的水;然后,量筒装满水并倒扣在水桶中,保证量筒被水充满,即不存在气体、气泡;将气管从量筒口端插入,同时计时;时间结束后,排除量筒的水的体积约等于气体体积,然后就可以计算出气体流量。BPSG和TEOS在不同清洗条件下的腐蚀速度:条件:HF、1#、2#、HF+1#+2#实验过程:a.两种硅片各取4片,测量清洗前膜厚;b.各取一片进行HF清洗;同理进行1#、2#、HF+.原创 2020-07-22 22:00:57 · 339 阅读 · 0 评论 -
芯片工艺——扩散
扩散是掺杂的一种方式(另一种是离子注入),大致可分为三步:预淀积、推进和激活。实际操作中需八步:质量测试、批控制系统、工艺菜单、开启扩散炉、清洗硅片、、预淀积、推进、测量。...原创 2020-07-17 22:34:47 · 2752 阅读 · 0 评论