不同芯片间需要通过SPI,ESPI等低速信号进行通信,随着TSMC等晶圆厂在工艺方面不断升级,例如7nm IO的大规模商用,ASIC等芯片大规模量产,一颗ASIC芯片拥有很多SPI这类低速信号。
通常来说,LVCMOS IO信号可以通过寄存器配置:输出高/低电平,施密特触发,弱上下拉,驱动能力,高阻态等。芯片正常工作过程中,IO信号可以按照设置功能,正常运行。但是在上下电,电源DIP过程中,由于某些电源的跌落,或者时序不同,会导致IO输出异常。
异常现象包含如下现象:
1)某个IO,原定设置需要输出低电平,在异常场景,输出高电平,此时就会导致芯片之间的通信异常。
2)某些IO复用硬件特征字功能,IO输出异常,会导致寄存器锁存异常,导致Flash分区异常,相关程序加载异常等现象;
分析上下电时序,首先需要熟悉IO的供电要求和POC等功能,以TSMC 16nm FinFET工艺为例:该工艺IO 供电由0V7 AVS,0V75 FIX 1V8三种电源供电,为避免IO工作异常,我们需要研读IO 手册,知悉POC功能的工作方法和供电类型(0V7 FIX,低电平有效)。再板应用时,需要设计这样的时序:
- 上电:1V8->0V7 AVS->0V75 FIX;
- 下电:0V75 FIX ->0V7 AVS->1V8;
分析DIP等异常工作场景,需要在某些电源跌落时,例如0V7 AVS跌落,芯片触发保护,例如复位等操作。针对该类尝尽,需要监控0V7 AVS等电源,一旦电源跌落,可以通过上电狗等芯片,使得芯片复位。