WPE effect

最新推荐文章于 2023-03-23 10:19:46 发布
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Well Proximity Effect，简称WPE，中文叫"井邻近效应"。白话一点来说，是靠近井(Well)所造成的效应。

在离子注入过程中，SiO2窗口作为阻挡。理想情况下N well应该是均匀的，可是实际加工过程中，有些离子与硅面是非垂直的，因此在N well边缘处会被SiO2反射，导致整个N well的掺杂浓度不均匀，在N well边缘处掺杂浓度比正常值要高，如下图所示：

新知达人, IC后端物理效应--Well Proximity Effect（阱临近效应）

什么工艺节点需要考虑WPE：

在130nm以及更老的工艺节点上，允许的PMOS离N well边界的距离的最小值比较大，因此PMOS离N well边界的高浓度区域的距离还比较安全，WPE现象的影响不太明显。

可是到了90 nm工艺节点，器件尺寸变得更小了，PMOS也逐渐进入了N well边界的高浓度掺杂区，也必须考虑WPE的影响了，由其是对于模拟高性能IC的设计。

避免方法

对于数字电路一般是通过加入filler来避免WPE的

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