IC后端物理效应WPE--Well Proximity Effect（阱临近效应）

今天介绍一下后端设计中的一些物理效应，这些物理效应在以前的老工艺中不太明显，但是工艺越先进，它们的影响就越大，Foundary必须在建库以及后端设计者必须在建版图绘制（对于模拟集成电路而言）或者布局布线（对于数字集成电路而言）中考虑这些物理效应，否则它们将影响电路的性能，甚至可能导致芯片Fail。

这些效应包括：

WPE: Well Proximity Effect, 阱临近效应

LOD: Length of Diffusion, 扩散区长度效应

OSE: OD Space Effect, 扩散区/有源区间距效应

PSE: Poly Space Effect, 栅间距效应

WPE: Well Proximity Effect, 阱临近效应

考虑：90nm工艺时需要考虑

STI stress

考虑：0.25um工艺下使用STI浅槽隔离，利用CVD沉淀产生SiO2，而不是局部氧化LOCOS进行，防止SiO2对两侧器件产生应力。

LOD: Length of Diffusion, 扩散区长度效应

考虑：在65nm之前的工艺制程中，OSE的影响并不明显，所以STI stress effect单纯指LOD effect。

OSE: OD Space Effect, 扩散区/有源区间距效应

考虑：在65nm之前的工艺制程中，OSE的影响并不明显，所以STI stress effect单纯指LOD effect。 而45nm以下的工艺制程，OSE的影响就不能再被忽略了。

PSE: Poly Space Effect, 栅间距效应