OSE和LOD这两个效应都是STI引起的,所以就放在一起讲。
OSE: OD Space Effect, 扩散区/有源区间距效应
从0.20米以下的半导体制程,利用STI的方法来实现gate的隔离,STI到不同gate的距离不同从而对器件的性能产生的影响就叫OSE。
什么是LOD Effect? 从0.25um以下的制程,元件与元件间是利用较先进的STI(Shallow Trench Isolation)的方法来做隔绝。由于STI的作法,会在substrate上挖出一个沟槽,再填入二氧化矽当绝缘层。这个在substrate挖出沟槽再填入二氧化矽的动作会产生应力的问题,由于FOX(Field Oxide)到Poly Gate的距离不同,应力对MOS的影响也不同。所以当拥有相同的Gate Length和Gate Width的两个MOS,因为扩散区长度不同造成其电流不同。如下图一,两个MOS (A和B)其Gate Length与Gate Width皆为0.5um和2um,但由于扩散区分别为1um和1.5um,所以其电流大小并不同。
最后说一下PSE也就是Poly spacing effect。如下如所示,