STI、LOD与WPE概念：STI效应对SPICE Model的影响

最新推荐文章于 2024-07-27 14:55:41 发布

luobingyin

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分类专栏：模拟IC设计文章标签：模拟IC设计工艺制程基本器件 SPICE模型

本文链接：https://blog.csdn.net/cocoqoo/article/details/92640250

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STI效应主要影响SPICE的Stress Effect Model，应力对MOS特性的影响主要体现在迁移率和饱和速度两个参数上，但是由于掺杂分布也会受到不同SIT尺寸和应力的影响，因此阈值电压和一些二级效应例如DIBL、体效应都会相应受到影响。

BSIM4在对Stress Effect进行建模时，主要考虑其对迁移率、饱和速度、阈值电压、体效应和DIBL的影响。

BSIM4使用STIMOD对STI效应进行分级：

STIMOD级别	说明
STIMOD=0	Stress Effect关闭
STIMOD=1	Berkeley Model Basic
STIMOD=2	TSMC Model for Irregular LOD Device
STIMOD=3	Berkeley Model for Multi-Fingure Device

BSIM4中STI效应影响的迁移率、饱和速度、阈值电压、体效应和DIBL所对应Model参数分别为U0、VSAT、VTH0、

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