【数电笔记】25-mos管的开关特性

最新推荐文章于 2024-02-24 17:16:11 发布
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分类专栏： 数电 文章标签： 笔记
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说明：

mos管的符号

1. N沟道增强型

2. P沟道增强型

3. N沟道耗尽型

4. P沟道耗尽型

mos管的静态开关特性

1. N沟道增强型MOS管

2. P沟道增强型MOS管

说明：

  • 笔记配套视频来源：B站；
  • 本系列笔记并未记录所有章节，只对个人认为重要章节做了笔记；
  • 标题前面的数字标号就是对应的视频章节，请大家自行对应学习

image-20231204090719843

mos管的符号

1. N沟道增强型

image-20231129195826842

2. P沟道增强型

image-20231129195903008

3. N沟道耗尽型

image-20231129200045475

4. P沟道耗尽型

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mos管的静态开关特性

1. N沟道增强型MOS管

image-20231129200259466

2. P沟道增强型MOS管

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MOS管的开关特性
yedongnan001的博客
03-02 1万+
　　个人博客：http://brainware360.cn/　　数字电路中MOS管常被用来作开关管，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，根据构成和导通特性可分为四类MOS管：　　g被称为栅极，d为漏极，s为源极，B为衬底，在实际生产中，衬底与源极相连，所以MOS管一般有三个极。四类MOS管增强型运用较为普遍，下图是画原理图时增强型NMOS和PMOS管的符号：　　漏极和源极之间有一个寄生二极管。这...
MOS管参数每一个参数详解-收藏版
热门推荐
树卡花
09-27 12万+
MOS管参数 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。 MOSFET是电压型驱动器材,驱动的进程即是栅极电压的建立进程,这是经过对栅源及栅漏之间的电容充电来完成的,下面将有此方面的详细论述. gfs:跨导.是指漏极输出电流的改变量与栅源电压改变量之比,是栅源电压对漏极电流操控才能巨细的测量. gfs 与 VGS 的转移联系图如下图所示...
数字电路 第二章—第二节（半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性）
Zevalin的博客
02-24 1545
②当二极管外加正向电压时，P区中的多数载流子空穴、N区中的多数载流子电子越过PN结后并不是立即全部复合掉，而是在PN结两边积累起来，形成一定的浓度梯度分布，靠近结边界处浓度高，离边界越远浓度越低，也即在PN结边界两边因扩散运动而积累了电荷，而且其电荷量也是随外加电压改变的，当外加电压增大，流过二极管中的电流增加时，这种积累起来的电荷量（存储电荷量）也随之成比例地增加，这种现象与电容的作用也很相似，并用电容。时，将处于截止状态，因为漏极和源极之间还未形成导电沟道，此时MOS管如图一个断开了的开关；
MOS管开关电路
oshan2012的博客
01-14 3万+
MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。 一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V.如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多...
MOS逻辑门、NMOS管的开关特性
03-17
MOS逻辑门、NMOS管的开关特性、NMOS反相器、NMOS或非门
数电笔记----逻辑函数转化化简公式
qq_71684296的博客
02-26 2167
这两个是高中学的逻辑预算中新加入的部分，尤其是分配律第二个式子普通代数中是不成立的但是在逻辑运算中是成立的。反演律也是解决式子中有取反的化简是非常有用的。
【数字电路学习】从零开始的数电笔记 - 进制 - 加法器 - 编码解码
最新发布
09-20
数字电路边看网课边记录的笔记，留档用
MOS管随笔记
01-06
MOS管 G：gate栅极 S：source源极 D：drain漏极 P沟道 G栅极阈值为-0.4V，当栅源电压差为-0.4V，DS导通，S接入，D输出，  S为2.8V，G为2.8V，MOS管不导通 S为2.8V，G为1.8V，GS=-1V<-0.4V导通 N沟道相反 N沟道...
集成电路基础知识笔记-MOS管二阶效应
qq_38588825的博客
05-03 4902
思考题： ■亚值区间时，MOS管的IV特性呈指数特性，类似与BJT管。请问此时的Mos管能替代BJT管工作吗? 亚阈值区间的电压范围很小（？） ■随着L的不断减小，为何电路设计难度不断增加? 然而，随着MOs管尺寸进一步变小，导致了MOS管更强的电场。一阶模型不再准确，带来二阶效应的影响。例如，夹断区的漏电流随着源漏电...
集成电路基础知识笔记-器件-MOS管跨导及电阻做负载的共源级放大器
qq_38588825的博客
05-03 5755
VCCS的量纲时电导g **** 思考题 ■在MOS管跨导的三个不同表达式中，为何有时候跨导与过驱动电压成正比，有时候成反比呢? 当W/L为定值时,跨导gm与过驱动电压Vov成正比，此时电流Id是改变的。 当电流Id为定值时,跨导gm与过驱动电压Vov成反比，此时W/L是改变的。 ■如何提高一个MOS管的跨导? 通过改变W...
MOS管的开关特性（增强型NMOS）
yan1111112的博客
05-09 1791
MOS管的开关特性（增强型NMOS） 当输入 uI <UGS(th)，NMOS管截止，iD=0。 当NMOS管导通时，导通电阻RON很小，uO=0。
MOSFET驱动电路总结
[嵌入式开发模块]机械按钮模块 纯C语言 面向对象实现 按键消抖、长按、连击
11-08 1881
中心议题： MOS管种类和结构 MOS管导通特性 MOS开关管损失 MOS管驱动 MOS管应用电路 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其
MOS管和三极管开关特性
weixin_30793643的博客
08-09 217
不知道对不对？ 待续！！！ 转载于:https://www.cnblogs.com/chasing/p/3901619.html
MOS管开关的判断及使用
依旧如此
12-11 5713
在日常的电路设计过程中，MOS管开关是比不可少的东西，常见的有N沟道和P沟道两种MOS管开关。那该如何分辨和正确使用它们，首先看看定义： P沟道MOS管开关电路 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。需要注意的是，Vgs指的是栅极G与源极S的电压，即栅极低于电源一定电压就导通，而非相对于地的电压。但是因为PMOS导通内阻比较大，所以只适用低功率的...
MOS管开关设计知识-（五种MOS管开关电路图方式）
树卡花
02-25 7万+
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 1、MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的...
MOS管工作原理与应用：笔记本电源隔离解析
此外，还提到了寄生二极管的方向判断，并阐述了MOS管在电路中的开关和隔离作用。" 在电子工程中，MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛使用的半导体元件，尤其在笔记本电脑等便携式设备中起着至关重要...
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