灯塔-模拟电子技术 4.2

紫韵殇情

已于 2023-11-27 22:55:37 修改

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分类专栏：模拟电子技术基础文章标签：信号处理

于 2023-11-21 12:00:00 首次发布

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4.2 晶体管的高频等效模型

4.2.1 晶体管的混合 π 模型

（1）完整的混合 π 模型

a ： $r_{c}$ 和 $r_{e}$ 分别为集电区体电阻和发射区体电阻，它们的数值较小，常常忽略不计； $b{b}'$ 处掺杂浓度极低，体电阻 $r_{b{b}'}$ 不可忽略， $r_{{b}'c}$ 是集电极反偏电阻

$r_{ce}$ 是受控电流源内阻，很大，一般忽略不计，在频率较低时容抗也大，所以需加上

等效 h 参数模型使用条件：中低频区域

π 模型：适用于低频到高频任何模型

电容特点：通高频阻低频

（2）简化的混合 π 模型

$C_{\mu }$ 的单向化：将 $C_{\mu }$ 等效到输入回路和输出回路中去

$\dot{I}_{C_{\mu }}=\frac{\dot{U}_{{b}'e}-\dot{U}_{ce}}{X_{C_{\mu }}}=\frac{(1-\dot{K})\dot{U}_{{b}'e}}{X_{C_{\mu }}}$ $(\dot{K}=\frac{\dot{U}_{ce}}{\dot{U}_{{b}'e}})$

$X_{{C_{\mu }}'}=\frac{\dot{U}_{{b}'e}}{\dot{I}_{C_{\mu }}}=\frac{\dot{U}_{{b}'e}}{(1-\dot{K})\frac{\dot{U}_{{b}'e}}{X_{C_{\mu }}}}=\frac{X_{C_{\mu }}}{1-\dot{K}}$

在近似计算时， $\left | \dot{K} \right |=-\dot{K}$ （ $\dot{U}_{ce}$ 和 $\dot{U}_{{b}'e}$ ）反相， $X_{C_{\mu }}=\frac{1}{j\omega C_{\mu }}$

${C}'_{\mu }=(1-\dot{K})C_{\mu }\approx (1+\left | \dot{K} \right |)C_{\mu }$

${C}'_{\pi }=C_{\pi }+{C}'_{\mu }\approx C_{\pi }+(1+\left | \dot{K} \right |)C_{\mu }$

同样方法可得

${C}''_{\mu }=\frac{\dot{K}-1}{\dot{K}}\cdot C_{\mu }$

一般情况下 ${C}''_{\mu }$ 的容抗远大于 ${R}'_{L}$ ， ${C}''_{\mu }$ 中的电流可忽略不计

（3）混合 π 模型的主要参数

已知： $r_{{b}'b}$ $Cob(C_{\mu })$ $f_{T}$ $\beta _{0}$

求解： $r_{{b}'e}$ $g_{m}$ $C_{\pi }$

$r_{{b}'e}=(1+\beta _{0})\frac{U_{T}}{I_{EQ}}$

$\beta _{0}$ 为低频段晶体管的电流放大系数，低频段 ${C}'_{\pi}$ 忽略不计

$\frac{\dot{I}_{c}}{\dot{I}_{b}}=\frac{g_{m}\cdot \dot{U}_{{b}'e}}{\frac{U_{{b}'e}}{r_{{b}'e}}}=g_{m}\cdot r_{{b}'e}=\beta _{0}$

$g_{m}=\frac{\beta _{0}}{r_{{b}'e}}=\frac{\beta _{0}}{(1+\beta _{0})\frac{U_{T}}{I_{EQ}}}\approx \frac{I_{EQ}}{U_{T}}$

4.2.2 电流放大倍数β的频率响应

$\dot{\beta }={\frac{\dot{I}_{C}}{\dot{I}_{B}}|}_{U_{CE}}$

$\because$ ${C}'_{\pi }$ 的存在产生相位变化 $\therefore\beta$ 是向量

在交流等效中，如果CE之间有负载，负载电压会变化， $U_{CE}$ 会变化；但 $U_{CE}$ 不变，所以相当于短路

$\dot{\beta }=\frac{\dot{I}_{C}}{\dot{I}_{B}}=\frac{g_{m}\cdot \dot{U}_{{b}'e}}{{U}_{{b}'e}(\frac{1}{r_{{b}'e}}+j\omega {C}'_{\pi })}=\frac{\beta _{0}}{1+j\omega r_{{b}'e}{C}'_{\pi }}$

$f_{\beta }$ 为 $\dot{\beta }$ 的截止频率，称为共射截止频率

$f_{\beta }=\frac{1}{2\pi \tau }=\frac{1}{2\pi r_{{b}'e}{C}'_{\pi }}$ ， $f=\frac{\omega }{2\pi }$

$\dot{\beta }=\frac{\beta _{0}}{1+j\frac{f}{f_{\beta }}}$

$\dot{\beta }$ 的对数幅频特性与对数相频特性为

其波特图为

当 $f=f_{T}$ 时， $\left | \dot{\beta } \right |=1$ ， $\frac{f_{T}}{f_{\beta }}\approx \beta_{0}$ ， $f_{T}=\beta _{0}f_{\beta }$

${C}'_{\pi }=F(f_{T})$ ${C}'_{\pi }=C_{\pi }+C_{\mu }({C}'_{\mu }=(1-\dot{K})C_{\mu })(C_{ob})$

$\dot{\beta}$ 是在 $U_{ce}$ 不变的情况下 $\frac{I_{c}}{I_{b}}$ 的值，因为 $U_{ce}$ 不变即没有交流部分，在交流通路中相当于短路，因此 $\dot{K}=0$

高频： ${C}'_{\pi }=C_{\pi }+{C}'_{\mu }$ ，此时 $\dot{K}\neq 0$ ，实际生活中高频段 $\dot{K}$ 非常难求，所以将中频段近似为高频的 $\dot{K}$

共基电流放大倍数 $\dot{\alpha }=\frac{\dot{\beta }}{1+\dot{\beta }}=\frac{\beta _{0}}{1+\beta _{0}+j\frac{f}{f_{\beta }}}$

共基电流放大倍数的上限截止频率 $f_{\alpha }=f_{\beta }\cdot (1+\beta _{0})(\left | \dot{a} \right |=\frac{1}{\sqrt{2}})$

紫韵殇情

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灯塔-模拟电子技术 4.2

a ：和分别为集电区体电阻和发射区体电阻，它们的数值较小，常常忽略不计；处掺杂浓度极低，体电阻不可忽略，是集电极反偏电阻是受控电流源内阻，很大，一般忽略不计，在频率较低时容抗也大，所以需加上等效 h 参数模型使用条件：中低频区域π 模型：适用于低频到高频任何模型电容特点：通高频阻低频。
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