MOS管（小电压控制大电压）

MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET 金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。
 MOS管有 三个引脚名称：G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。

上图是一个N沟道MOS管的电路符号，竖线分别表示源极、栅极、和漏极的金属板，箭头代表N沟道电子的流动方向。中间的竖线代表绝缘层，当栅极没有电压时，它是截止的；当给栅极施加电压后，它就导通了。

NMOS和PMOS的区别

（N沟道P沟道的判别，箭头指向栅极的是N沟道，箭头背向栅极的是P沟道）

一般情况下，NMOS比PMOS使用的更加频繁，原因是NMOS 是电子的移动，PMOS那就是空穴的移动，空穴的迁移率比电子低，尺寸与电压相等的条件下，PMOS的跨导小于 NMOS，形成空穴沟道比电子沟道更难。

PMOS的阈值电压教NMOS高，因此需要更高的驱动电压，充放电时间长，开关速度更低。

PMOS的导通电阻大，发热大，相对NMOS来说不易通过大电流。

所以导致现在的格局：NMOS价格便宜，厂商多，型号多。PMOS价格贵，厂商少，型号少。
 

MOS管的特性

一、MOS管的栅极输入阻抗非常高，可以达到上亿欧姆，这是因为栅极上有绝缘层的存在，它几乎完全关闭了电子的通道，造成了它的输入电阻可达上亿欧姆，故MOS管的输入几乎不取电流，这就是为什么现在芯片内部集成的都是MOS管。

二、MOS管的栅极很容易被静电击穿，由于栅极阻抗很大，感应电荷很不容易释放，它产生的高压很容易就把这一层薄薄的绝缘层击穿，造成MOS管永久损坏。

当栅极被击穿后，电荷再也不能和从前一样聚集成N沟道，而是形成了栅极和源极之间的电流。 

三、MOS管导通电阻低，可以做到几个毫欧的电阻，极低的传导损耗。

四、开关速度快，开关损耗低，特别适应PWM输出模式。

五、在电路设计上的灵活性大，栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作，电子管只能在负偏压下工作；

六、低功耗、性能稳定、抗辐射能力强，制造成本低廉与使用面积较小、高整合度。

七、极强的大电流处理能力，可以方便地用作恒流源。

所以现在芯片内部集成的几乎都是MOS管。

MOS管的导通条件

N沟道—导通时 Ug> Us,Ugs> Ugs(th)时导通
P沟道—导通时 Ug< Us,Ugs< Ugs(th)时导通
总之，导通条件：|Ugs|>|Ugs(th)|

VGS(th)(开启电压)

当外加栅极控制电压 VGS 超过 VGS(th) 时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。

VGS(最大栅源电压)

栅极能够承受的最大电压，栅极是MOS管最薄弱的地方，设计的时候得注意一下，加载栅极的电压不能超过这个最大电压。

RDS(on)(漏源电阻)

导通时漏源间的最大阻抗，它决定了MOSFET导通时的消耗功率。这个值要尽可能的小，因为一旦阻值偏大，就会使得功耗变大。

MOS管 导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。

现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。

ID(导通电流)

最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。
场效应管的工作电流不应超过 ID 。

VDSS(漏源击穿电压)

漏源击穿电压是指栅源电压VGS 为 0 时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。

击穿后会使得 ID 剧增。

这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于 V（BR）DSS 。

gfs(跨导)

是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比，

是表征MOS管放大能力的一个重要参数,是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度。

过小会导致 MOS 管关断速度降低，过大会导致关断速度过快， EMI特性差。