结型场效应管的特性

废话不多说,先上图看结构

中间是一块N型半导体,掺杂了两块高浓度的P型半导体

中间为N型半导体,多子为电子因此DS之间可以直接导通

如何控制

两个P都接在栅级,因此栅级可以控制两个P,GS之间加上反向电压Ugs,因此PN结会反偏,越反偏耗尽层就会越宽,而耗尽层越宽,中间的沟道就会逐渐变窄,因为负极从左右两边推电子,而正极从ds之间吸引电子,因此越来越窄,与耗尽型的相似,Ugs不改变时那么沟道也不会改变,加到底时就会出现夹断,注意这是真正的夹断,就没有电流了,此时gs之间的反向电压就叫做Ugsoff,夹断电压

如何工作

DS之间加上电压,上面的PN结就会变厚,上方为正极就会吸引电子,而下方为负级就会推电子,所以就形成了上窄下宽的局面,加得越大,PN结越厚,最后就会出现上面预夹断

所以就可以分为预夹断之前,可变电阻区,Ugs不变电阻不改变,Ugs加大,电阻就会变小,Id就会变大,也就是UgsId之间成正比关系

与夹断之后,恒流区,Id电流不会改变

对于Ugs可以大于Ugsoff但是不能够大于零,因为大于零时PN结就导通了,所以必须反偏,让PN结截止

注意:结型场效应管绝对不能让Ugs大于零,这是结型与绝缘栅型的根本区别,重点在于不能让PN结导通

 

 结型的优势

不容易坏,耐造,而绝缘栅型的管子就非常的娇贵了,因为Sio2上的电容非常小,所以感应出来的电压高,很容易就击穿Sio2了

特性与主要参数

Ugs决定的电阻RdsUds共同决定了电流Id的大小,Uds/Rds才是Id在恒流区之前的大小

转移特性曲线

方程: Id = Ido(Ugs/Vgsth -1)^{2}

耗尽型的转移特性曲线如下

 在耗尽型时,Id的变化与上述方程相同,只是把Ido换成Idss(漏级饱和电流)

如何放大

三极管

使用小信号控制Ib,控制了Ib也就相当于控制了Ic,也就实现放大,前提是放大状态下

场效应管

使得场效应管工作在恒流区,使得Ugs变化,Ugs就控制了Id的变化,Id跟着Ugs变化

结型场效应管的输出特性

 转移特性曲线

 

 分析:

结型与绝缘栅型

结型要么Ugs全正,要么Ugs全负,

绝缘栅型有两种:一种是跨越正负的

另一种是增强型:一定要大于一个开启电压,开启而不是夹断的

结型与耗尽型是天生存在沟道

增强型就是需要加电压去产生一个沟道的,而耗尽型就是加反电压区去夹断它的

参数

直流参数

Vgth:阈值电压

Vgs(off):夹断电压

Idss:漏极电流

Rgs:直流输入电阻(>10的9 次方欧姆)

何为绝缘:电阻大于500M欧姆

交流参数

跨导(低频)gm=\Delta Id/\Delta Ugs,Ugs(常数)

动态与动态之间的关系--->等效电阻的求法

级间电容:高频时会出现导通

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