一种反激变换器的设计思路（01）

反激式转换器具有低成本且易于构建的优势，常被用作功率较低设备和电器的主要电源。其中固定开关频率（FF）和可变开关频率（QR）是两种基本的操作开关模式。本案例中，输入电压（Vin）为17V，开环输出设计为24V，下面小节将介绍具体实现流程。

1 SS反激转换器

下图展示了SS反激转换器（基于FF模式）的电路图，其主要由MOSFET开关（Q）、隔离式变压器（初级绕组Lp，次级绕组Ls）、二极管（D）、磁化电感（Lm）以及电容滤波器（Co）组成。

当Q导通时，Vin被施加到初级绕组，在此期间，次级绕组与初级绕组极性相反，二极管开路，在输入输出之间没有能量转移。而当Q关断时，气隙和磁芯中的能量被转移到次级绕组，阻性负载由Ls供电。

在Q导通期间，Lp两端有一个固定电压，可以通过下式获得：

其中，Vin-min是最小输入电压，Ton-max是最大导通时间，Po-min是最小输出功率，T是由开关频率决定的周期。

变压器初级侧和次级侧两端的匝比等于：

其中，Dmax为SS反激变换器的最大占空比，根据仿真设置与参数要求，本案例的SS反激变换器的主要参数为：Vin=17V、Vo=24V、fs=150KHz、NP/NS=20:31.55、Lm=1mH、Co=22000uF、Dmax=0.5。

2 QR反激转换器

QR反激式本质上是一种谷值开关导通的DCM反激式，也被公认为变频或谷值开关反激式，广泛应用于充电器、适配器、和辅助电源。下面对设计QR反激的方法与设计方程进行介绍。

上图为QR反激变换电路图，其中Q为MOSFET开关，Cc为钳位电容，Tr为变压器绕组，Llk为漏电感，Lm为磁化电感，Lp为变压器初级电感器，Ls为变压器次级电感器，Co为输出滤波电容，D为二极管，负载为阻性负载。

一旦开关被接通，输入电压被强制施加到变压器初级上，并且磁化电感Lm开始充电，电容器Cc被放电，Cc两端的电压使得二极管D被反向偏置。当开关关掉时，次级二极管D相当于导通，变压器开始自身消磁，并且存储的能量被转移到负载。

当次级电流降至零时，变压器的两个绕组都去耦，因此反射的输出电压 NVo 和初级电压不再彼此相等。如果电压超过箝位电容 （Vc） 足够高。则D 的导通取决于谐振Cc 和等效电感之间的相互作用。变压器绕组 Tr 的匝数比 （N）根据峰值占空比 （Dpk） 计算：

钳位电容的值可以通过考虑Cc和Llk之间的能量平衡来确定，因为几乎所有泄漏能量最终都会转移到钳位电容。该能量平衡可以表示为：

其中，是Cc两端的最大上升电压，IP_pk是初级峰值电流，谐振周期、开关接通和关断时间可由下式确定：

其中，Tdo（t）是次级二极管导通时间，Tqr可以理解为死区时间，开关频率fs可以通过下式获得：