30V n沟道增强模式MOSFET NP3404MR

最新推荐文章于 2024-09-27 09:33:02 发布
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版权

       NP3404采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)超低导通电阻的高密度电池设计。该器件适用于负载开关或PWM应用。

高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面贴装封装

 

应用

脉宽调制的应用程序
负载开关

ANines07
关注
射频功放学习之N沟道增强型MOSFET
qq_42295125的博客
06-29 823
电源技术中的Zetex 推出三款N 沟道增强模式MOSFET
11-27
Zetex推出三款为有限驱动电压应用设计的N 沟道增强模式 MOSFET。 这三款新产品分别为 20V 的ZXMN2B03E6 （SOT236封装）、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F（两者均为SOT23封装）。这些器件均具有1.8VGS条件下的低损耗...
N沟道增强型MOSFET
扬帆远航的博客
02-04 727
主要公式在为电导常数——单位为开启电压）为本征导电因子，为反型层的电子迁移率，为栅极氧化层单位面积电容，W为沟道宽度，L为沟道长度。在若考虑沟道调制效应：, （表示长度调制参数）在低频互导：输出电阻（λ：沟道长度调制参数）形成机制输出特性交流负载线：”表示交流电流(信号放大的电流)，“”表示小信号的总电流，“”表示小信号的直流电流）
AP180N03D 30V N沟道增强型MOSFET恒锐丰科技
2401_82403278的博客
05-12 378
AP180N03D采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和栅极电压低至4.5V的操作。该设备适合用作电池保护或在其他交换应用中。RDS（ON）<3.2mΩ@VGS=10V（类型：2.1mΩ）蓄电池保护、负载开关、不间断电源。
AP8G03ES 30V N+P沟道增强型MOSFET
2401_82403278的博客
05-24 438
AP8G03ES采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和栅极电压低至4.5V的操作。电池保护或其他开关应用。
P沟道与N沟道MOSFET的基本概念
Yin_w的博客
02-29 4604
MOSFET：M~(Metal金属)~O~(Oxide氧化物)~S~(Semiconductor半导体)~，FET（Field Effect Transistor场效应晶体管)，即以金属氧化物场效应半导体场效应晶体管，是一个三端控制器，电压控制、高输入阻抗的单极器件。在电路中可视为一个开关管，其通断频率和峰值电压都非常高，且价格便宜，因此被广泛应用于各种电子电路中。后文将以N沟道增强型MOSFET为例讲其工作原理，P沟道MOSFET可进行类比。
MOSFet 的类型和区别：NP沟道，增强耗尽
draracle的巢穴
03-31 631
Mosfet的一些概念的梳理。
N沟道增强型MOS管的原理
xiaoxiaoxi__的博客
09-05 1196
data:image/gif;base64,R0lGODlhAQABAPABAP///wAAACH5BAEKAAAALAAAAAABAAEAAAICRAEAOw==
PW3407 SOT23-3L封装 30V 4.2A P沟道增强模式MOSFET场效应管
bsdz3807的博客
12-12 401
PW3407采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS（ON）、低栅极电荷和。在栅极电压低至4.5V的情况下运行。该设备适用于电池保护或。提供3针SOT23-3封装。
深力科电子/J30H10K 100A 30V 电动工具专用N沟道MOS管
02-15 509
以低栅极电荷提供出色的RDS（ON）。广泛应用于电源切换应用,硬开关和高频电路,不间断电源,白色小家电,电动工具等各种领域。4.具有高EAS的良好稳定性和均匀性。2.超低Rdson的高密度电池设计。6.高ESD能力的特殊工艺技术。3.充分表征雪崩电压和电流。5.出色的封装，散热良好。
8V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ
01-20
宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有N沟道器件中的导通电阻。 　新的SiA436DJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有9.4mΩ、...
基础电子中的8V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ
10-21
宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有N沟道器件中最低的导通电阻。 　新的SiA436DJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有9.4mΩ...
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11-09
全球领先的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、?8FL及SOIC-8封装， 为计算机和...
电源技术中的Linear推出100V高速同步N沟道3A MOSFET驱动器
11-28
凌力尔特公司推出的LTC4444是一款专为电源技术设计的100V高速同步N沟道3A MOSFET驱动器，适用于高效能电源系统中的同步整流转换器。这款驱动器的独特之处在于它能够同时驱动高端和低端的N沟道MOSFET，以实现更优化的...
又一条地铁无人线开通！霞智科技智能清洁机器人正式“上岗”
最新发布
kejijianwen的博客
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运营首日，市民纷纷前来打卡。入驻西安地铁10号线的霞智科技Skywalker 50智能清洁机器人，搭载了SLAM、3D视觉、自主路径规划、智能感知、多传感器融合等10余种新型无人化作业技术，在“行走”中不仅能够自动避障，还能自动充电、自动加水和排污、乘梯，无需人为干预即可实现全天候不断电使用。无人地铁线引入的霞智科技Skywalker 50智能清洁机器人，具备洗地、扫地和尘推三个功能，拥有高效的清洁力，可迅速洗净地面污渍，清扫小型垃圾，清洁效率达到了2000平/小时。今天省市领导出席了通车剪彩仪式。
搜维尔科技：测试Xsens功能，通过空中移动在弹簧地板上进行捕捉
souvr007的博客
09-24 552
搜维尔科技：测试Xsens功能，通过空中移动在弹簧般的地板上进行动作捕捉。功能，通过空中移动在弹簧地板上进行捕捉。
探索未来科技的无限可能：IT领域的深度剖析与前瞻
2401_85046497的博客
09-24 486
在这个充满挑战与机遇的IT时代，每一项技术的突破都预示着新的可能。云计算、大数据、人工智能、区块链、物联网……这些看似遥远的概念，正一步步走进我们的生活，成为推动社会进步的重要力量。让我们携手并进，共同探索未来科技的无限可能，共创一个更加美好的明天！
世优科技“1+2+N”，助力湖南旅发大会“火出圈”
shiyoutech的博客
09-25 610
N 个场景应用，开启AI智能时代下文旅IP营销新可能，以此为鉴，世优科技为文旅产业高质量发展再次提供了切实可行的路径，全链路 IP 再造和营销赋能，助力文旅企业打造独特品牌，通过复活 IP，挖掘文化价值，让古老的故事在现代语境中重焕光彩，技术突破带来全新体验，吸引游客关注。，现场，世优科技团队通过“1+2+N”模式（即：1个IP复活，2项技术突破，N个场景应用），助力衡阳市IP“火出圈”3D形象惊艳亮相，承担晚会主持、互动、产品推荐等任务，并此为蓝本，释疑文旅IP加快产业高质量发展不同可能，以及。
FQP30N06L-VB：100V N沟道TrenchFET MOSFET技术规格
"FQP30N06L-VB是一款N沟道TO220封装的MOSFET，适用于隔离型DC/DC转换器等应用。这款MOSFET具有TrenchFET技术，能承受175°C的结温，低热阻包装，以及100%栅极电阻测试。其主要规格包括100V的击穿电压，0.127Ω（在...
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