Cadence仿真笔记：MOS的参数名称解释

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Cadence仿真笔记：MOS的参数名称解释

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前言

Cadence仿真中，MOS管的参数很多，有些参数可以直接添加到计算器中，进行数据的计算。

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1. type：MOS 管类型，可能值为 n 或 p。
2. region：MOS 管的工作区域，可能值为 0~4，分别对应：0： 关断；1： 线性区；2： 饱和区；3： 亚阈值区；4： 击穿
3. reversed：MOS 管是否反向，可能值为 yes 或 no。
4. ids (A)： 阻性漏源电流
5. lx4 (A)： ids 的别名，当 MOS 管反向时有相反的符号。
6. lx50 (A)：衬源电流。
7. vgs / lx2 (V)：栅源电压。
8. vds / lx3 (V)：漏源电压。
9. vbs / lx1 (V)：衬源电压。
10. vth (V)：有效阈值电压。
11. lv9 (V)：vth 的别名。
12. vdsat (V)：漏源饱和电压。
13. lv26 (V)：平带电压（Flat-band voltage）。
14. lv10 (V)：vdsat 的别名。
15. gm / lx7 (S)：共源跨导。
16. gds / lx8 (S)：共源输出跨导。
17. gmbs / lx9 (S)：衬底跨导。
18. betaeff (A/V2)：有效 β 值。
19. cjd / lx29 (F)：漏区衬底结电容。
20. cjs / lx28 (F)：源区衬底结电容。
21. lx12 (Coul)：衬底电荷（Qb）
22. lx14 (Coul)：栅极电荷（Qg）
23. lx16 (Coul)：漏区电荷（Qd）
24. lx24 (Coul)：漏区 PN 结电荷。
25. lx26 (Coul)：源区 PN 结电荷。
26. cgg / lx18 (F)：dQg_dVg
27. cgd / lx19 (F)：dQg_dVd
28. cgs / lx20 (F)：dQg_dVs
29. cgb (F)：dQg_dVb
30. cdg / lx32 (F)：dQd_dVg
31. cdd / lx33 (F)：dQd_dVd
32. cds / lx34 (F)：dQd_dVs
33. cdb (F)：dQd_dVb
34. csg (F)：dQs_dVg
35. csd (F)：dQs_dVd
36. css (F)：dQs_dVs
37. csb (F)：dQs_dVb
38. cbg / lx21 (F)：dQb_dVg
39. cbd / lx22 (F)：dQb_dVd
40. cbs / lx23 (F)：dQb_dVs
41. cbb (F)：dQb_dVb
42. ron()：导通电阻。
43. id / i1 (A)：漏端电流。
44. is / i3 (A)：源端电流。
45. ibulk / i4 (A)：衬底电流。
46. lx5 (A)：源端 PN 结电流。
47. lx6 (A)：漏端 PN 结电流。
48. pwr (W)：处于工作点时的功耗。
49. gmoverid (1/V)：Gm/Ids
50. lv36 (F)：栅源交叠电容。
51. lv37 (F)：栅漏交叠电容。
52. lv38 (F)：栅衬底交叠电容。
53. lx10 (S)：漏区二极管跨导。
54. lx11 (S)：源区二极管跨导。

总结

最终要的，例如gm/Ids，都是直接可以用的，不用自己再输入公式计算了。