virtuoso IC5141 实验一 MOS管I-V特性仿真验证

一、实验目的

        1.熟悉Candence IC514软件，学会新建工程，导入工艺库，模型库的操作步骤。

        2.学会使用ADE仿真环境对电路进行DC仿真，得到MOS管的I-V特性。

        3.学会使用ADE仿真环境得到不同Vgs下，一簇关于Vds与Id的曲线。

二、实验环境

        集成电路设计实验室；Red Hat Enterprise linux5、Cadence IC Design Tools 5.10.41

三、实验原理

1. 什么是MOS的阈值电压？

    讨论阈值电压时，可以将栅，栅氧化层，衬底所构成的部分看为一个MOS电容。对NMOS来将，当外加正压，沟道表面开始积累负电荷，一开始是空穴离开后的负离子，直到反型，阈值反型。一般我们将“反型电荷密度与衬底夺走密度相等时的Vgs称为Vth,也就是阈值电压”。即nmos沟道表面的电子等于衬底内部空穴时的Vgs。

2. MOS管的I_V特性曲线。

        仅对于长沟道nmos器件进行讨论，上图展示了当Vgs-Vth一定时，Source,Drain之间电流随电压的变化趋势。I/V特性曲线被分为两个区域，左边为三极管区，右边为饱和区。

        下面是长沟道nmos器件的各工作区域判定与工作电流：

四、实验步骤

1.新建“library”导入工艺库文件

图1 新建library

图2 对library 进行命名

图3 添加工艺库（csmc05）路径

图4 建立设计库步骤完成

2.新建“cell view”,放置元器件，绘制schematic

图5 新建cell view	图6 在图形界面中添加器件
图7 依次添加器件并连接完成	图8 依次添加器件并连接

3.【实验一】配置ADE环境，对MOS的开启电压进行仿真。

图9 ADE界面简单介绍	图10 添加仿真工艺库（工艺库类型为tt）
图11 对Vgs赋初值	图12 选择输出测试节点
图13 配置DC仿真，对Vgs进行扫描	图14 运行仿真，查看开启电压

        【备注】：每次打开ADE需要重新导入model库文件，绘制完shematic记得check and save，没有问题再开始ADE仿真。

4.【实验二】配置ADE环境，绘制MOS的一簇不同Vgs的Vds_Id曲线

图15 将vgs上电压设置为变量	图16 设置dc仿真参数
图17 设置分析工具参数	图18 运行分析，查看绘制图形

【备注】：根据所得结果来看，器件是一个长沟道MOS FET 。

五、仿真结果及分析

1. 【实验一】绘制MOS的Vds_Id曲线，得到MOS的开启电压。

图19 MOS（L=1u,W=5u）的Vgs_Id曲线

        由此曲线可知，该MOS的Vth为0.8V，Vth阈值电压描述在Vg作用下，沟道形成临界反型状态（也就是nmos沟道表面的电子浓度等于衬底内部的空穴浓度时），认为器件导通。接着Id呈指数关系上涨。

        此曲线的斜率描述MOS的跨导gm,斜率越大表示导电性越好，导通电阻越大。一般对于长沟道MOS，Id与Vgs呈现二次关系。对于短沟道MOS，Id与Vgs先是二次关系，由于短沟道效应（垂直电场引起的迁移率下降，水平电场导致的速度饱和，热载流子与衬底碰撞等等）最终趋于线性，可见此MOS为长沟道器件。

2. 【实验二】配置ADE环境，绘制MOS的一簇不同Vgs的Vds_Id曲线。

图20 MOS（L=1u,W=5u）的Vds_Id曲线

                此曲线描述MOS的Vds与Id的关系，饱和区的水平程度描述其受沟道调制效用的影响程度，对其做反向延长线，将交于一点，命名为厄利电压。此值的绝对值越大越好，表示该器件越趋于理想。

        一般对于长沟道MOS，对于等间隔的Vgs,其饱和区电流呈现二次关系，短沟道MOS受制于垂直电场引起的迁移率下降，水平电场导致的速度饱和，热载流子与衬底碰撞等等短沟道效应，其饱和区电流间距大差不差，可见此MOS为长沟道器件。

六、心得体会

         集成电路CAD是大三以来有关模拟集成电路设计的第一次实验课，以下是我和同学们交流之后对可能出现的一些问题的记录。

1. 如果出现无法选中器件的情况，可以先“ESC”,再单击选中。

2. MOS器件的model name一定要命名，否则会出现错误。

3. 器件参数界面的“Multiplier”选项，对应于多MOS的电路，如运放，建议先对nmos,pmos做匹配，依次为参考，可能需要进行宽长比的比例放大，此时可以直接在此选项中填入放大倍数，意思是多少个mos并连，相当于L不变，增大栅宽W，非常利于版图的布局布线。

4. 每次打开ADE需要重新导入model库文件，绘制完shematic记得check and save，没有问题再开始ADE仿真。此时最好再检查一次电路，避免出现错误连线。

5. 连线要避免出现以下情况：

图21 常见错误展示

6. analog lib中的vcc,vdd等单端的电源符号，只是一个符号，一般需要DC 电源对其进行定义。