一、 实验前提
Cadence以及虚拟机的安装、工艺库文件的导入
二、实验内容:
分别仿真NMOS、PMOS以及NMOS和PMOS并联的电阻情况
三、实验原理:
通过欧姆定律R=U/I分别测得NMOS、PMOS以及CMOS随漏源电压变化的曲线。
四、实验步骤:
1、 绘制原理图
点击鼠标右键-add instance-browse-选择要添加的器件-view选择symbol-点击hide-将器件放置在原理图上,按要求放置连接各器件,完成原理图的绘制。
2、 进行DC仿真
(1) 点击Launch-ADE L,启动仿真
(2) 设置仿真条件
设置仿真工艺文件Setup-Model Library
设置仿真的其他条件
(3) 设置变量
Variables-> Copy from cellview, 双击变量Vin,将Value值设置为1V
(4) DC扫描设置
ADE 界面选择 Analysis->Choose,弹出菜单中进行仿真分析设置。在 Sweep Variable 中选择需要扫描的参数。MOS 管 IV 特性仿真选择 Design Variable,并设置 Variable Name
在 MOS 管电阻特性仿真中,我们要进行的是大信号直流分析(DC Analysis)。选择扫描的变量(上图 Sweep Variable-> Design Variable-> Variable Name)是仿真输出的X轴Sweep Range和 Sweep Type 根据需要设置范围和输出结果的精度。例子中 Vin 从 0.7 到 3V,按照线性变化,步进 0.001V,即输出 2300 个点对应的R
(5) 输出设置
ADE 界面选择 Outputs->Setup
点击open打开计算器,在计算器中获得阻值的计算公式
点击vs和is来获取电压和电流。选择电流时,点击器件或器件的端子;选择电压时点击相应连线。并通过四则运算获得公式
在上一步打开的setting outputs中点击get expression将求得的公式copy过来并设置变量名为Rnmos,点击ok确认,Rnmos就会出现在输出列表里,同理设置变量Rpmos和Rcmos。