MOSFET管相关知识总结（1）

一、MOSFET的分类
众所周知，MOS管是电压控制型元件。在MOSFET中，从导电载流子的带电极性来看，有N（电子型）沟道MOSFET和P（空穴型）沟道MOSFET；按照导电沟道形成机理不同，NMOS和PMOS又各有增强型（E型）和耗尽型（D型）两种。图一为MOS管的图形符号。

(a)N沟道耗尽型MOSFET

(b)N沟道增强型MOSFET

（c）P沟道耗尽型MOSFET

(d)P沟道增强型MOSFET
图1 MOS管图形符号

二、MOSFET的选型（这里只考虑了七个因素，实际更多）
1.考虑MOS管的封装形式。(选择常规插件封装，还是常规贴片封装。)
2.选择NMOS管还是PMOS管。(成本、选择型号、功能用途)
NMOS管成本低，选择型号多，多用于正激、反激等开关电源电路。
PMOS管成本高，选择型号少，多用于开关控制电路。
3.导通时漏源间的最大阻抗Rds(on)。
4.确定漏源击穿电压Vds。
5.确定最大漏源电流Id。
6.确定开启电压Vgs。
7.工作结温及存储温度。

下图以MOS管IRFP460 的数据手册为例。

图2 为IRFP460封装及沟道类型，可见IRFP460的封装为直插式封装，N沟道增强型。对应上述1、2两点。

图3 为IRFP460的Vds和Rds(on)参数，可见IRFP460的漏源击穿电压Vds=500V，导通时漏源间的最大阻抗Rds(on)=0.27欧。对应上述3、4两点。

图4 为IRFP460的的Id和Vgs参数，可见IRFP460的最大漏源电流Id，在25℃情况下为20A，在100℃情况下为12A,开启电压Vgs=±30V欧。对应上述5、6两点。

图5为IRFP460的工作结温及存储温度。对应上述第七点。

当然在MOS管的实际使用中，还要综合考虑多种参数，这里只是进行了简单介绍，如有错误，不吝赐教。

下面文件为，IRFP460的数据手册。