单端口RAM、伪双端口RAM、双端口RAM、以及FIFO的区别

本文对比了FPGA设计中常见的存储器件,包括单端口RAM、伪双端口RAM、双端口RAM和FIFO。单端口RAM只能读写之一,双端口RAM允许同时读写,伪双端口RAM一读一写,FIFO遵循先进先出原则。FIFO常用于数据传输缓存,RAM则用于暂存指令或中间数据。规模较大的FIFO通常采用RAM实现。
摘要由CSDN通过智能技术生成

FPGA设计中,存储器是必不可少的。FPGA中常见的存储器件有RAM以及FIFO,RAM又可细分为单端口RAM、伪双端口RAM和双端口RAM。之前对其基本概念与使用已经进行了介绍,现在只重点将他们进行比较:

目录

一、比较

二、FIFO与RAM联系:

三、应用场合:

四、参考文献:


一、比较

单端口RAM:对应IP核中的Single-Port RAM,只有一组控制信号线、地址线和数据线,不能同时读写,某时刻只能在控制信号作用下作为数据输入或输出的一种;

双端口RAM:对应IP核中的Dual-Port RAM,有两组独立的控制信号线、地址线和数据线,两组之间互不影响,允许两个独立的系统同时对其进行随机性的访问。即共享式多端口存储器,可以同时读写;

伪双端口RAM:对应IP核中的Simple Dual-Port RAM,一个端口只读,一个端口只写;

注意:双端口RAM同时对同一地址进行读写时,会出现仲裁;

FIFO:先进先出数据缓冲器,也是一个端口只读,另一个端口只写。但是FIFO与伪双口RAM的不同,FIFO为先入先出,没有地址线,不能对存储单元寻址;而伪双口RAM两个端口都有地址线,可以对存储单

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