嵌入式开发：磁通门传感器开发（5）：测量磁场的方法和传感器

魂兮-龙游

已于 2025-03-10 20:58:41 修改

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分类专栏：嵌入式开发文章标签：嵌入式硬件磁通门传感器磁场测量方法

于 2025-03-04 20:56:22 首次发布

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磁场测量主要依赖于各种磁传感器，每种传感器适用于不同的磁场强度和应用场景。以下是几种常见的磁场测量方法和传感器类型：

工作原理：基于霍尔效应（霍尔效应是指当载流导体或半导体处于垂直磁场时，电荷载流子受到洛伦兹力作用，在垂直于电流方向的方向上产生电势差，这一电压称为霍尔电压），电流在磁场中会产生与磁感应强度成正比的霍尔电压。
测量范围：μT ~ T 级，适用于强磁场（mT 以上）。
特点：
- 可测量静态磁场（DC磁场）和交变磁场（AC磁场）。
- 低精度（一般误差 1%~5%），但响应快，适合实时测量。
- 体积小，广泛应用于电机、电流检测、磁场测量等。
原理过程：
- 电子或空穴在导体中流动形成电流 I。
- 外部磁场 B 垂直于电流方向，使得电荷载流子受到洛伦兹力 F=qvB。
- 电子在磁场作用下向一侧偏移，导致该侧电荷积累，形成霍尔电压 VH。
- 霍尔电压与磁场成正比，因此可以用来测量磁场强度。
典型应用：
- 电机转速检测
- 磁铁磁场测量
- 无接触电流测量（霍尔电流传感器）
代表型号：
- 霍尔效应传感器（如 A1324、A3144）
- 霍尔高斯计（如 Lake Shore 425）

工作原理：基于磁阻效应（AMR、GMR、TMR），磁场会影响材料的电阻，从而检测磁场强度（磁阻效应指导体或半导体的电阻在外加磁场下发生变化）。
测量范围：nT ~ mT 级（高精度）。
特点：
- 比霍尔传感器灵敏度更高，能检测微弱磁场。
- 可用于高精度方向检测、地磁场测量。
- 适用于小型化设备，如电子罗盘、姿态传感器。
原理过程（AMR）
- 导电材料（如镍铁合金）受到外部磁场影响，其电子散射特性发生变化。
- 当磁场方向与电流方向平行时，电阻较低；当磁场方向与电流方向垂直时，电阻较高。
- 通过检测电阻变化，可测量磁场强度。
典型应用：
- 电子罗盘（航向传感器）
- 弱磁场测量
代表型号：
- AMR（各向异性磁阻）：电阻随磁场方向变化
- GMR（巨磁阻）：多层磁性材料的磁阻显著变化
- TMR（隧道磁阻）：电子通过量子隧穿效应影响电阻

工作原理：使用高导磁率材料的磁芯，对磁场进行放大和测量。（磁通门传感器利用高导磁率材料的磁芯，在交变磁化过程中，磁通的非对称变化与外部磁场成正比，可测量弱磁场。）
测量范围：nT ~ mT 级（超高精度）。
特点：
- 适用于极弱磁场检测，如地磁、航天探测。
- 精度高，误差< 0.1%。
- 适用于静态磁场（DC磁场）以及低频磁场的测量。
原理过程
- 交变电流激励磁芯，使其周期性饱和。
- 在没有外部磁场时，磁化曲线是对称的，输出信号为零。
- 当外部磁场存在时，磁芯的磁化特性变得不对称，导致二次谐波电压产生。
- 通过检测二次谐波的幅值，即可确定外部磁场强度。
典型应用：
- 地磁探测、航天器姿态检测
- 隐形飞机磁场检测
代表型号：
- Bartington MAG-03
- Honeywell FV系列