IC芯片晶圆术语简介

         

                     晶圆术语

晶圆表面各部分的名称如下:

   1)器件或叫芯片Chipdiedevicecircuitmicrochipbar):这是指在晶圆表面占大部分面积的微芯片掩膜。

   2)街区锯切线Scribe linessaw linesstreetsavenues):在晶圆上用来分隔不同芯片之间的街区。街区通常是空白的,但有些公司在街区内放置对准靶,或测试的结构。

   3)工程试验芯片Engineering dietest die):这些芯片与正式器件(或称电路芯片)不同。它包括特殊的器件和电路模块用于对晶圆生产工艺的电性测试。

   4)边缘芯片Edge die):在晶圆的边缘上的一些掩膜残缺不全的芯片。由于单个芯片尺寸增大而造成的更多边缘浪费会由采用更大直径晶圆所弥补。

推动半导体工业向更大直径晶圆发展的动力之一就是为了减少边缘芯片所占的面积。

   5)晶圆的晶面Wafer Crystal Plane):图中的剖面标明了器件下面的晶格构造。此图中显示的器件边缘与晶格构造的方向是确定的。

   6晶圆切面凹槽Wafer flatsnotche):图中的晶圆有主切面和副切面,表示这是一个 P <100> 晶向的晶圆(参见第3章的切面代码)。300毫米晶圆都是用凹槽作为晶格导向的标识。

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