CdTe-PEG-PSMA量子点ZnCdSe/ZnS标记9G10的制备过程

CdTe-PEG-PSMA量子点ZnCdSe/ZnS标记9G10的制备过程

今天小编分享量子点修饰抗原，一起看看吧：

CdTe水溶性量子点的制备过程：

称取0.048 g Te粉和0.12gKBH于三口烧瓶中,混匀,加入2mL水，在65℃水浴和磁力搅拌下反应20 min,直至黑色Te粉完全消失,得到紫色透明的0.2molL KHTe溶液，备用。在氮气的保护下,在200 mL 0.0025 molL CaC12水溶液中,加人0.1mL疏基乙酸﹐调节pH～10在强磁力搅拌下,继续通氮气除氧30 min,迅速加人2 mL KHTe溶液,继续于95℃下加入搅拌回流2 h,即获得颜色透明的CdTe水溶性量子点。

单克隆抗体和量子点ZnCdSe/ZnS的制备过程：

扣除量子点ZnCdSe/ZnS溶液,待标记的单克隆抗体和EDC的体积后，计算需要将ZnCdSe/ZnS量子点稀释到1-2 uM所需要补充的硼酸盐缓冲液体积，并将该溶液加入到反应器中;加入25 uLZnCdSe/ZnS并取1.5 mg的单克隆抗体加入到反应器中,开始搅拌至混合均匀(速度不宜过快，以不产生气泡为准）;搅拌5 min后，适当降低速度，加入适当的EDC溶液，在室温搅拌2 h。搅拌结束后，用0.22 um的滤器过滤除团聚后，放置4℃备用。

半导体量子点在用做光学试剂方面具有吸引力，它们在包括发光器件、光子晶体、非线性光学仪器以及生物标记在内的很多领域都有潜在的用处，它们带隙是尺寸可调的，他们具有相当强的荧光、较宽的吸收峰和较狭窄的激发带，还有良好的光稳定性。

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仅用于科研，RL023.1