一种VLA蚀刻工艺的后清洗方法

引言

在追求微线宽、高集成目标的半导体加工中，产品产率注重粒子。特别是，在通道蚀刻过程中，残留在通道中的残留物会导致金属层之间的电连接性能恶化。晶片包括基底、形成在基底上的金属层、覆盖在金属层上的氧化层以及涂覆在氧化层上的光致抗蚀剂层。通过使用干蚀刻工艺，通道图案通过光致抗蚀剂层和氧化层，直到暴露金属层的预定区域。

实验

在通孔蚀刻工艺的后清洗方法中，首先执行光刻胶带程序的步骤，通过等离子体反应器中的干蚀刻工艺去除光刻抗蚀剂层，其中光刻抗蚀剂层内的烃与要剥离的氧等离子体反应，并通过真空系统泵送诸如CO、二氧化碳和水。（江苏英思特半导体科技有限公司）

图 1

图2 

 

结果和讨论

请参考图1和图2。图1是根据现有技术的通道的横截面示意图。图2是根据现有技术的通过蚀刻工艺的后清洗方法的流程图。因此，执行湿式清洗程序的步骤，用于清洗聚合物残留物。通常，将晶片浸入在浸渍时间、温度和溶液浓度的适当条件下充满特定蚀刻溶液的水槽中，从而使聚合物残留物与要去除的蚀刻溶液发生反应。最后，在水冲洗过程的步骤中，垂直转动晶圆以确保晶片的边缘被清除，然后将晶片浸入去离子水中以清除剩余的蚀刻溶液。（江苏英思特半导体科技有限公司）

然而，利用ACT和EKC等化学品的湿式清洗方法遇到了问题。如化学材料成本的增加和化学资源的短缺。它不符合对大规模生产的成本考虑的预期。此外，由于将晶片10浸入蚀刻溶液中需要一段时间来使聚合物残留物与蚀刻溶液完全反应，因此整体的刻蚀过程周期增加。（江苏英思特半导体科技有限公司）

结论

本文提供了一种通蚀工艺的后清洗方法，该方法将湿清洗工艺代替湿清洗工艺来解决上述问题。一种用于清洗晶圆的通过蚀刻工艺的后清洗方法，该晶圆包括钨(W)层、钨层上的氧化层、氧化层上图案的光致抗蚀剂层以及通过光刻胶层和氧化层直到暴露钨层的预定区域，清洗方法包括步骤： (a)进行光刻胶条工艺去除光刻胶层；(b)进行使用CF和氨基作为主要反应气体的干洗程序，(c)进行水冲洗过程。

本方法的优点在于，由于干清洗工艺替代湿清洗工艺去除聚合物残留物而不使用昂贵和稀有的碱性化合物，因此大大降低了生产成本。此外，干洗过程可以快速去除聚合物残留物，晶片在浸入去离子水前不需要垂直翻转，因此整个后清洗过程变得更加高效。（江苏英思特半导体科技有限公司）