半导体光刻技术概述

半导体光刻或光刻是一种制造工艺，它从绘制在由大玻璃板制成的光掩模上绘制的高度复杂的电路图案过渡到超高性能透镜的简化版本和曝光进入通常称为晶圆的硅基板。简而言之，集成电路(IC)的制造需要在半导体衬底上执行的物理和化学过程的结合。在工艺分类中，各种工艺分为：薄膜沉积、图案化和半导体掺杂。

两种导体的薄膜，包括多晶硅、铝，以及最近使用的铜和绝缘体，分为各种形式的二氧化硅、氮化硅等，用于连接和包围晶体管及其组件。硅的不同区域的选择性掺杂允许硅晶片的导电性是随电压的施加而改变。通过创建这些不同组件的结构或模型，可以构建数百万个晶体管并将其连接在一起以形成现代微电子设备的复杂电路。所有这些过程的基础称为光刻或光刻，即在基板上构建三维浮雕图像，以便随后将图案过渡到基板。

 

为什么选择 EUV光刻？

下一代光刻或光刻技术种类繁多：X射线光刻、电子束光刻和纳米压印光刻，与EUV光刻相当。然而，就EUV光刻技术而言，它围绕或优于其同时代技术，增强或促进了即将到来的微型特征印刷的缩放需求。

EUV光刻技术的未来挑战

2019 年全球整体EUV光刻市场规模为20.4亿美元，预计到2021年至2027年总收入将增长 28.18%，达到近148.7亿美元。

在极紫外光刻中，产生能量的外部输出有助于将等离子体转化为 13.5 纳米波长的光。然后，光线在击中晶圆之前从多个镜子反射，用于创建小特征。尽管EUV技术具有诸多优势，但它仍然面临着许多问题，例如光源和设备停机时间。EUV光刻工艺路线中最显着的缺点或障碍是需要高功率光源来照射光刻胶。EUV 刻胶光刻胶的另一个重要绊脚石问题，这成为该技术成功的障碍。极紫外光刻抗蚀剂几乎肯定会以这样一种方式设计，即在抗蚀剂表面上非常薄的成像层中进行印刷。除此之外，EUV 抗蚀剂材料还必须适应即将到来的光源技术进步。（江苏英思特半导体科技有限公司）

江苏英思特半导体科技有限公司主要从事湿法制程设备，晶圆清洁设备，RCA清洗机，KOH腐殖清洗机等设备的设计、生产和维护。