1.电路设计
1.1.偏置电路
![](https://img-blog.csdnimg.cn/3d5554fc318d4f4ebb090f85cf35f252.png#pic_center)
在前面的运放中,M7和M5都需要给栅极提供一个偏置电压。图1.1中M8和M7完全相同,M7支路的电流要求为0.8uA,因此独立电流源需要产生0.8uA的电流。这次就是要设计实际电路将理想电流源代替。
图1.2是一个常见的偏置电路。M10、M11、M8和M12构成偏置电路。偏置电路M8M12和运放的M3M4尺寸相同。M10、M11的尺寸应该是1:K,为了使晶体管都工作在饱和区,这里选择K=2。所以M10尺寸和M1M2相同,M11的Multiplier设置为M10的2倍。
运放第一级 | M1 | M2 | M3 | M4 |
---|---|---|---|---|
W | 15u | 15u | 2u | 2u |
L | 12u | 12u | 15u | 15u |
Multiplier | 1 | 1 | 1 | 1 |
偏置电路 | M10 | M11 | M8 | M12 |
---|---|---|---|---|
W | 15u | 15u | 2u | 2u |
L | 12u | 12u | 15u | 15u |
Multiplier | 1 | 2 | 1 | 1 |
对于NMOS晶体管,M8M12和M3M4尺寸相同,但是流过M8M12的电流是M3M4的二倍。因此M8M12的VGS比M3M4大,M8M12的gm/id小于M3M4。PMOS晶体管M10也与M8M12类似。
而PMOS晶体管M11的Multiplier增大了一倍,流过的电流也比M1M2增大一倍,因此M11的VGS、gm/id两个参数与M1M2相同。
偏置电路的电流计算公式:
V
G
S
10
−
V
G
S
11
=
I
⋅
R
1
V
T
H
10
+
2
I
μ
p
C
o
x
(
W
/
L
)
P
−
(
V
T
H
11
+
2
I
μ
p
C
o
x
K
(
W
/
L
)
P
)
=
I
⋅
R
1
\begin{aligned} V_{GS10}&- V_{GS11}=I·R_1 \\[2.5ex] V_{TH10}+\sqrt\frac{2I}{\mu_p C_{ox}(W/L)_P}- &(V_{TH11}+\sqrt\frac{2I}{\mu_p C_{ox}K(W/L)_P})=I·R_1 \end{aligned}
VGS10VTH10+μpCox(W/L)P2I−−VGS11=I⋅R1(VTH11+μpCoxK(W/L)P2I)=I⋅R1
可见忽略沟道调制效应的话,电流大小与电源电压无关。假设VTH10=VTH11:
2
I
μ
p
C
o
x
(
W
/
L
)
P
−
2
I
μ
p
C
o
x
K
(
W
/
L
)
P
=
I
⋅
R
1
K
⋅
2
I
1
2
I
μ
p
C
o
x
K
(
W
/
L
)
P
−
2
I
1
2
I
μ
p
C
o
x
K
(
W
/
L
)
P
=
I
⋅
R
1
(
2
2
−
2
)
1
2
I
μ
p
C
o
x
K
(
W
/
L
)
P
=
(
2
2
−
2
)
1
g
m
11
=
R
1
\begin{aligned} &\sqrt\frac{2I}{\mu_p C_{ox}(W/L)_P}-\sqrt\frac{2I}{\mu_p C_{ox}K(W/L)_P}=I·R_1 \\[3.5ex] \sqrt K ·2I &\sqrt\frac{1}{2I\mu_p C_{ox}K(W/L)_P}-2I\sqrt\frac{1}{2I\mu_p C_{ox}K(W/L)_P}=I·R_1 \\[3.5ex] (2\sqrt 2 &-2)\sqrt\frac{1}{2I\mu_p C_{ox}K(W/L)_P}=(2\sqrt 2 -2)\frac {1}{g_{m11}}=R_1 \end{aligned}
K⋅2I(22μpCox(W/L)P2I−μpCoxK(W/L)P2I=I⋅R12IμpCoxK(W/L)P1−2I2IμpCoxK(W/L)P1=I⋅R1−2)2IμpCoxK(W/L)P1=(22−2)gm111=R1
前面提到M11的gm/id与M1M2相同,运放设计中M1M2的gm/id=16:
g
m
11
I
D
11
=
g
m
1
,
2
I
D
1
,
2
=
16
g
m
11
=
16
⋅
I
D
11
=
16
⋅
0.8
u
A
=
12.8
u
S
R
1
=
16
⋅
I
D
11
=
(
2
2
−
2
)
1
g
m
11
=
64.7
k
Ω
\begin{aligned} \frac{g_{m11}}{I_{D11}}=\frac{g_{m1,2}}{I_{D1,2}}&=16 \\[2.5ex] g_{m11}=16·I_{D11}=16·0.8&uA=12.8uS \\[2ex] R_1=16·I_{D11}=(2\sqrt 2 -2)&\frac {1}{g_{m11}}=64.7kΩ \end{aligned}
ID11gm11=ID1,2gm1,2gm11=16⋅ID11=16⋅0.8R1=16⋅ID11=(22−2)=16uA=12.8uSgm111=64.7kΩ
1.2.启动电路
![](https://img-blog.csdnimg.cn/6a0c1779fe75484a936fc8fa77ac0cc8.png#pic_center)
晶体管M13、M15和M16构成启动电路。M16看作电容C16,当VDD上电后,M13导通给C16充电;刚开始C16电压低,M15导通产生电流给偏置电路NMOS栅源电容充电,当栅源的压降大于VTH后开始正常工作。一段时间后C16充电到VDD,M15关断启动电路停止工作。
2.电路仿真
2.1.偏置电路仿真
![](https://img-blog.csdnimg.cn/1b8d9fed44fa4d50a12a451fdf640fd3.bmp#pic_center)
从图2.1的仿真结果来看电源电压的变化还是会影响输出的电流大小。这是因为设计的过程中忽略了沟道调制效应。可以使用cascode结构减小这个误差。
2.2.启动电路仿真
![](https://img-blog.csdnimg.cn/baba3ab1c7014b4ba0fc82d3d8a6521b.bmp#pic_center)
对启动电路进行tran仿真得到图2.2的结果。可以看到启动过程中有一个接近3uA的电流过冲,高出所需电流800nA三倍多。而且M16的电容C16越大过冲越大,最大能有十几uA。为什么会有这个过冲呢?
修改电路的过程中发现增大M8和M12的L能够减小过冲,代价是达到稳定电流需要更长的时间。扫描L得到下面的仿真结果。
![](https://img-blog.csdnimg.cn/26f05d1268974ca589dca7ac53e5bc17.bmp#pic_center)
为什么会产生这样的结果呢?
为什么增大L会增加电流稳定时间?
3.疑问
为什么启动过程中会产生过冲?为什么M16的电容C16越大过冲越大?过冲要怎么消除?
为什么启动过程中增大M8和M12的L会增加电流稳定时间?