静电放电(ESD)最常用的三种模型及其防护设计

ESD:Electrostatic Discharge,即是静电放电,每个从事硬件设计和生产的工程师都必须掌握 ESD 的相关知识。为了定量表征 ESD 特性,一般将 ESD 转化成模型表达方式,ESD 的模型有很多种,下面介绍最常用的三种。

  1.HBM:Human Body Model,人体模型:

  该模型表征人体带电接触器件放电,Rb 为等效人体电阻,Cb 为等效人体电容。等效电路如下图。图中同时给出了器件 HBM 模型的 ESD 等级

        

       2.MM:Machine Model,机器模型:

  机器模型的等效电路与人体模型相似,但等效电容(Cb)是 200pF,等效电阻为 0,机器模型与人体模型的差异较大,实际上机器的储电电容变化较大,但为了描述的统一,取 200pF。由于机器模型放电时没有电阻,且储电电容大于人体模式,同等电压对器件的损害,机器模式远大于人体模型。

     

       3.CDM:Charged Device Model,充电器件模型:

  半导体器件主要采用三种封装型式(金属、陶瓷、塑料)。它们在装配、传递、试验、测试、运输及存贮过程中,由于管壳与其它绝缘材料(如包装用的塑料袋、传 递用的塑料容器等)相互磨擦,就会使管壳带电。器件本身作为电容器的一个极板而存贮电荷。CDM 模型就是基于已带电的器件通过管脚与地接触时,发生对地放电引起器件失效而建立的,器件带电模型如下:

     

      器件的 ESD 等级一般按以上三种模型测试,大部分 ESD 敏感器件手册上都有器件的 ESD数据,一般给出的是 HBM 和 MM。

  通过器件的 ESD 数据可以了解器件的 ESD 特性,但要注意,器件的每个管脚的 ESD 特性差异较大,某些管脚的 ESD 电压会特别低,一般来说,高速端口,高阻输入端口,模拟端口 ESD电压会比较低。

ESD 防护是一项系统工程,需要各个环节实施全面的控制。下图是一个 ESD 防护的流程图:

        

ESD 防护设计可分为单板防护设计、系统防护设计、加工环境设计和应用环境防护设计,单板防护设计可以提高单板 ESD 水平,降低系统设计难度和系统组装的静电防护要求。当系统设计还不能满足要求时,需要进行应用环境设计防护设计。ESD 敏感器件在装联和整机组装时,环境的 ESD 直接加载到器件,所以加工环境的 ESD 防护是至关重要的。

  一般整机、单板、接口的接触放电应达到±2000V(HBM)以上的防护要求。器件的 ESD 防护设计是在器件不能满足 ESD 环境要求的情况下,通过衰减加到器件上的 ESD 能量达到保护器件的目的。ESD 是电荷放电,具有电压高,持续时间短的特点,根据这些特点,ESD 能量衰减可通过电压限制、电流限制、高通滤波、带通滤波等方式实现,所以防护电路的形式多种多样,这里就不一一列举。

  ESD 防护是一项系统工程,需要各个环节实施全面的控制。下图是一个 ESD 防护的流程图:

### 回答1: ESD静电放电是指当两个物体之间的电荷差异突然释放时产生的电流和电压的现象。静电放电可能发生在我们的日常生活中,例如触摸金属物体或摩擦物体都有可能引发静电放电。对于电子器件和电路来说,静电放电可能对它们造成严重的损害,因此需要进行ESD保护。 ESD保护电路的设计就是为了防止静电放电对电子器件和电路的损害,以提高设备的可靠性。ESD保护电路通常位于输入/输出(I/O)端口或物理层接口的周围,其中包含了多种组件和技术,以最大限度地减小ESD电流和电压对器件的影响。 常见的ESD保护电路设计包括: 1. 阻抗匹配电阻:通过连接合适的电阻来匹配输入/输出端口和ESD保护器件之间的阻抗,以降低静电放电的影响。 2. 双向二极管:在输入/输出端口和地之间添加双向二极管,以限制静电放电的电压。 3. 金属氧化物半导体场效应管(MOSFET):将MOSFET作为ESD保护器件,当静电放电时,其工作在击穿区域,以提供更好的电压保护。 4. 雪崩二极管:雪崩二极管具有较高的击穿电压,能够承受较大的静电放电电流,用于保护敏感电子器件。 5. 差分设计:差分设计通过使用两个相互耦合的信号线路来增加抗干扰能力,减小静电放电的影响。 总之,ESD保护电路设计主要是为了降低静电放电对电子器件和电路的损害,提高设备的可靠性和稳定性。设计中采用了不同的技术和器件,以确保在静电放电时稳定地将电流和电压引导到可控制的水平。 ### 回答2: ESD(Electrostatic Discharge)静电放电是指由于静电积累导致的突然放电现象。当物体带有不均匀的电荷分布时,就可能产生静电放电。通常,人体的静电放电电压可达数千伏,而设备和电子元件往往只能承受几百伏的电压。如果静电放电直接作用在电子设备上,可能会导致设备的损坏或故障。 为了防止ESD对电子设备造成损害,需要设计ESD保护电路。ESD保护电路可以在静电放电瞬间迅速吸收并分散大部分放电能量,从而保护设备的正常运行。ESD保护电路的设计应具备以下几个关键特点: 1. 快速响应:ESD保护电路需要能够快速地响应静电放电,使其释放能量而不是直接冲向受保护设备。 2. 低电压保护:ESD保护电路应该能够稳定地将静电放电电压限制在设备能够承受的范围之内,通常要求在几十伏至几百伏之间。 3. 高电流吸收:ESD保护电路应具备足够的吸收电流能力,以确保能够迅速吸收放电过程中产生的大量电流。 4. 长寿命:ESD保护电路应该能够多次承受静电放电的冲击,而不受到损坏。 常用ESD保护电路设计包括二极管保护、变压器耦合保护、无阻抗保护等。二极管保护是将二极管连接到受保护设备的输入和地之间,当ESD放电时,二极管会将电流短接到地。而变压器耦合保护则利用高耐压变压器将ESD电流耦合引入地,起到保护作用。无阻抗保护采用特殊材料制成的稳压二极管,能够在ESD静电放电时,快速吸收电流并稳定输出电压。 综上所述,ESD静电放电是由于静电积累而引发的突然放电现象,而ESD保护电路的设计则旨在保护设备免受静电放电的损害,确保设备能够正常运行。
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