本文介绍了非同步Buck-Boost和同步Buck-Boost拓扑下的大电流路径。
非同步DC-DC利用外部肖特基二极管调节电压,同步DC-DC用MOSFET代替肖特基二极管。
两条电流路径重叠的部分(即电感)不属于关键路径,因为它的dI/dt比较小,不必过多关心它的布线,但需要考虑电感产生的电磁场对附近敏感走线的影响,因此最好使用屏蔽电感,或者是让电感远离IC和反馈走线。
非重叠的部分均属于关键路径,比如输入电容、输出电容、开关管、二极管或MOSFET,因为在开关切换时,关键路径上会有很高的dI/dt,它们的布线应该宽而短。
输出电容应和二极管一样靠近控制芯片,并并联一个陶瓷电容(前提是它不会引起环路不稳定)。
输入电容要求很好的去耦,除了必要的大容量电容外,也应放置一个小陶瓷电容(0.1~1uF),放在靠近开关管电源侧,尽可能靠近开关管。