[开关电源-拓扑系列]基础拓扑之Buck+Boost+Buck-Boost工作原理(CCM模式)

引言

在开关电源中,Boost、Buck、Buck-Boost三种常见的、非隔离型的、升降压拓扑。下面将介绍这三种拓扑电路的工作原理和公式推导,为了便于记住三种拓扑的结构,下面将直接横向对比三种拓扑电路图。

在这里插入图片描述

其中,D为PWM的占空比。为推导的简洁与方便理解,下面的公式推导将忽略二极管管压降Vd。

Boost工作原理和公式推导

Boost电路-升压电路。

在这里插入图片描述

工作模态分为:模态一:MOS管导通;模态二:MOS管截止。

模态一:MOS管导通

该模态下,MOS管导通接地,此时输入电压Vi给升压电感充电。Diode正极接地、负极接输出,无法形成压差,因此为截止状态。输出由输出电容提供能量。

模态二:MOS管关断

该模态下,MOS管截止,此时升压电感由于电感特性,电流不能突变(电压可以突变),将继续流向右侧。此时Diode导通。此时为输出和输出电容供电的电压为输入电压Vi与电感电压的串联,并且此时升压电感的内部为左负右正,输出电压=输入电压Vi+电感电压VL,即可实现升压。

可见:电感的作用是储能和升压;二极管则是应用了它的单向导通特性。

在这里插入图片描述

(Q为MOS管简称)

下面将通过两个工作模态的变化过程,根据伏秒积平衡:升压电感在MOS导通和截止时变化的能量相同,计算输入电压和输出电压的关系。

模态一:MOS管导通过程,即升压电感充电过程,此时电感的伏秒积为: ( V i − 0 ) ∗ T o n = V i ∗ D ∗ T (V_i-0)*T_{on}=V_i*D*T (Vi0)Ton=ViDT

模态二:MOS管截止过程,即升压电感放电过程,此时电感的伏秒积为: ( V o − V i ) ∗ T o f f = ( V o − V i ) ∗ ( 1 − D ) ∗ T (V_o-V_i)*T_{off}=(V_o-V_i)*(1-D)*T (VoVi)Toff=(VoVi)(1D)T

由伏秒积可得: V i ∗ D ∗ T = ( V o − V i ) ∗ ( 1 − D ) ∗ T V_i*D*T=(V_o-V_i)*(1-D)*T ViDT=(VoVi)(1D)T

可得: V o = V i 1 − D V_o=\frac{V_i}{1-D} Vo=1D

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