Buck_Boost_Buck-Boost工作原理（CCM模式）

引言

在开关电源中，Boost、Buck、Buck-Boost三种常见的、非隔离型的、升降压拓扑。下面将介绍这三种拓扑电路的工作原理和公式推导，为了便于记住三种拓扑的结构，下面将直接横向对比三种拓扑电路图。

其中，D为PWM的占空比。为推导的简洁与方便理解，下面的公式推导将忽略二极管管压降Vd。

Boost工作原理和公式推导

Boost电路-升压电路。

工作模态分为：模态一：MOS管导通；模态二：MOS管截止。

模态一：MOS管导通

该模态下，MOS管导通接地，此时输入电压Vi给升压电感充电。Diode正极接地、负极接输出，无法形成压差，因此为截止状态。输出由输出电容提供能量。

模态二：MOS管关断

该模态下，MOS管截止，此时升压电感由于电感特性，电流不能突变（电压可以突变），将继续流向右侧。此时Diode导通。此时为输出和输出电容供电的电压为输入电压Vi与电感电压的串联，并且此时升压电感的内部为左负右正，输出电压=输入电压Vi+电感电压VL，即可实现升压。

可见：电感的作用是储能和升压；二极管则是应用了它的单向导通特性。

(Q为MOS管简称)

下面将通过两个工作模态的变化过程，根据伏秒积平衡：升压电感在MOS导通和截止时变化的能量相同，计算输入电压和输出电压的关系。

模态一：MOS管导通过程，即升压电感充电过程，此时电感的伏秒积为：$(V_i-0)\ast T_{on}=V_i\ast D\ast T$

模态二：MOS管截止过程，即升压电感放电过程，此时电感的伏秒积为：$(V_o-V_i)\ast T_{off}=(V_o-V_i)\ast (1-D)\ast T$

由伏秒积可得：$V_i\ast D\ast T=(V_o-V_i)\ast (1-D)\ast T$

可得：$V_o=\frac{V_i}{1-D}$ 或 $D=1-\frac{V_i}{V_o}$

倘若考虑二极管管压降Vd，可得：$V_o=\frac{V_i}{1-D}-V_d$ 或 $D=1-\frac{V_i}{V_o+V_d}$

Buck工作原理和公式推导

Buck电路-降压电路

工作模态分为：模态一：MOS管导通（Diode截止）；模态二：MOS管截止（Diode导通）

模态一：MOS管导通（Diode截止）

该模式下，MOS管导通，二极管负极Vi，正极GND，无法形成正向压差，Diode反向截止。此时输入电压Vi为电感充电，电感两端电压左正右负，电感储存能量。同时为输出滤波电容和负载供电。

模态二：MOS管截止（Diode导通）

该模式下，MOS管截止，由于电感电流不能突变，电感电流依然往右移动，电感的两端电压左负右正。同时电感电流通过二极管进行续流（二级管也称续流二极管），结合输出滤波电容为输出负载供电。

(Q为MOS管简称)

下面将通过两个工作模态的变化过程，根据伏秒积平衡：升压电感在MOS导通和截止时变化的能量相同，计算输入电压和输出电压的关系。

模态一：MOS管导通过程，即电感充电过程，此时电感的伏秒积为：$(V_i-V_o)\ast T_{on}=(V_i-V_o)\ast D\ast T$

模态二：MOS管截止过程，即升压电感放电过程，此时电感的伏秒积为：$(V_o-0)\ast T_{off}=V_o\ast (1-D)\ast T$

由伏秒积可得：$(V_i-V_o)\ast D\ast T=V_o\ast (1-D)\ast T$

可得：$V_o=V_i\ast D$ 或 $D=\frac{V_o}{V_i}$

倘若考虑二极管管压降Vd，可得：$V_o=(V_i+V_d)\ast D-V_d$ 或 $D=\frac{V_o+V_d}{V_i+V_d}$

Buck-Boost工作原理和公式推导

Buck-Boost电路——升降压电路

工作模态可分为：模态一：MOS管导通（Diode截止）；模态二：MOS管截止（Diode导通）

模态一：MOS管导通（Diode截止）

该模式下，MOS管导通，二极管负极Vi，正极负，无法形成正向压差，Diode反向截止。此时输入电压Vi为电感充电，电感两端电压上正下负，电感储存能量。由于二极管截止，因此电流无法形成回路，无法给输出电容和负载供电。此时输出由输出电容供电。

模态二：MOS管截止（Diode导通）

该模式下，MOS管截止，由于电感电流不能突变，电感电流依然往下移动，电感的两端电压上负下正。同时电感电流通过二极管进行续流（二级管也称续流二极管），为输出滤波电容和负载供电。

(Q为MOS管简称)

下面将通过两个工作模态的变化过程，根据伏秒积平衡：升压电感在MOS导通和截止时变化的能量相同，计算输入电压和输出电压的关系。

模态一：MOS管导通过程，即电感充电过程，此时电感的伏秒积为：$(V_i-0)\ast T_{on}=(V_i-0)\ast D\ast T$

模态二：MOS管截止过程，即升压电感放电过程，此时电感的伏秒积为：$(V_o-0)\ast T_{off}=V_o\ast (1-D)\ast T$

由伏秒积可得：$V_i\ast D\ast T=V_o\ast (1-D)\ast T$

由于输出为负，所以：$V_o=-\frac{V_i\ast D}{1-D}$ 或 $D=\frac{-V_o}{V_i-V_o}$

倘若考虑二极管管压降Vd，可得：$V_o=-\frac{V_i\ast D}{1-D}-V_d$ 或 $D=\frac{-V_o-V_d}{V_i-V_o-V_d}$

拓展

1. 同步整流：将拓扑中的二极管更换为MOS管，并加入控制。减小二极管管压降带来的损耗，提高效率。
2. 上述讨论的均为非同步的Buck、Boost、Buck-Boost拓扑
3. 上述的工作模态及输入输出电压公式均是拓扑工作在CCM模式下推导得到。其中CCM (ContinuousConduction Mode)连续导通模式，即一个开关周期内，电感电流不会到0A。这些拓扑还可工作在BCM（Boundary Conduction Mode）临界导通模式和DCM(Discontinuous Conduction Mode)非连续导通模式。不同工作模式下，工作模态、输入输出电压关系以及应用场景均有区别。

DCM模式的分析，参考：小北设计

Boost的DCM模式：http://www.pcballegro.com/pcbshiji/yingj/311.html

Buck的DCM模式：http://www.pcballegro.com/pcbshiji/yingj/305.html