【IC618】【温度特性分析-暂存】


理论推导部分参考资料:Precision Temperature Sensors in CMOS Technology, Michiel A.P. Pertijs, Johan H. Huijsing

有个计算器使用的方法:
Virtuoso中使用calculator进行波形计算方法
找了半天才明白怎么用这个计算器。

1、Basic

纯模拟域,计算
μ = m R 2 R 1 V T l n N V B E + m R 2 R 1 V T l n N \mu= \frac{m\frac{R_2}{R_1}V_TlnN}{V_{BE}+ m\frac{R_2}{R_1}V_TlnN} μ=VBE+mR1R2VTlnNmR1R2VTlnN
特性比想象的好:
(v(“/OUT_BGR” ?result “dc”)-v(“/V_BE” ?result “dc”))/v(“/OUT_BGR” ?result “dc”)
在这里插入图片描述
采用提高使用率的方案,特性依然比想象的好
((v(“/OUT_BGR” ?result “dc”)-v(“/V_BE” ?result “dc”))*2-v(“/V_BE” ?result “dc”))/v(“/OUT_BGR” ?result “dc”)
在这里插入图片描述
怎么最低处是个负值。。

先继续用第一个曲线
μ = m R 2 R 1 V T l n N V B E + m R 2 R 1 V T l n N = m R 2 R 1 26 × 1 0 − 3 300 T l n N V r e f \mu= \frac{m\frac{R_2}{R_1}V_TlnN}{V_{BE}+ m\frac{R_2}{R_1}V_TlnN}=\frac{m\frac{R_2}{R_1}\frac{26\times10^{-3}}{300}TlnN}{V_{ref}} μ=VBE+mR1R2VTlnNmR1R2VTlnN=VrefmR1R230026×103TlnN
可得
T = 637.52 μ − 273 T=637.52\mu-273 T=637.52μ273
在电源电压为3V时进行微调:
T = 712.26 μ − 276.022 T=712.26\mu-276.022 T=712.26μ276.022
有偏低的非线性,误差达到0.75°C
在这里插入图片描述

2、仿真分析

电源电压扫描:

在这里插入图片描述

偏差值-402740125
2.7V-0.54-1.41-1.47-0.86
3.0V0-0.72-0.760
3.3V1.53-0.1-0.130.78

仅计算电源误差时,消去非线性:

线性偏差值-402740125
2.7V-0.54-0.69-0.71-0.86
3.0V0000
3.3V1.530.620.630.78

可以看到,误差由两部分组成

1)电源电压变化带来的 线性误差

····1)偏移变化:总跨度为2°C左右;
····2)斜率变化:为1.0015~0.998;

2)电路自身的非线性误差,极值为-0.76°C;

下面进行误差分析。

3、线性误差分析

上一节提到,电源电压变化带来的线性误差,偏移总跨度在2°C左右,斜率变化为0.998-1.0015。

【1】原因1:结构不对称时,电源电压变化会引起vds不一致,引起电流失配:

1、非对称架构

在这里插入图片描述

在这里插入图片描述
压差为1.21mv,等效温度偏差为0.86°C。

2、对称架构:

在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
压差为0.015mv,等效温度偏差为0.01°C。

【2】原因2:运算放大器增益不够高时,电源电压变化对其影响较大。

下面的数据是使用理想运放进行分析的:
非对称架构:
理想运放增益为1000时,压差为6.81mv,
理想运放增益10000时,压差1.63mv,
理想运放增益为27000倍时,压差为1.28mv,
对称架构:
理想运放增益为1000时,压差为5.72mv,
理想运放增益10000时,压差0.57mv,
理想运放增益27000时,压差0.21mv,
理想运放增益100000时,压差0.057mv。

【3】考虑后续的应用场景最好使用非对称电路,尝试能否降低非对称架构的 λ \lambda λ,以减少压差:

增加L:
L=1u,压差1.31mv
L=2u,压差0.81mv
L=5u,压差0.254mv
L=10u,压差0.10mv,等效温差0.07°C。
L=20u,压差0.045mv,等效温差0.032°C。
再大可能不太合适了,面积太大。
暂时选取为20u。

【4】仿真验证效果

微调:
((v(“/OUT_BGR” ?result “dc”)-v(“/V_BE” ?result “dc”))/v(“/OUT_BGR” ?result “dc”))*711.044-276.1191
在这里插入图片描述

偏差值-4027125校正线性误差后偏差值-4027125
2.7V-0.54-1.41-0.86-2.7V-0.0046-0.4205-0.01
3.0V0-0.720-3.0V0-0.41410
3.3V1.53-0.10.78-3.3V0.0032-0.40960.006

仅计算电源误差时,消去非线性:

线性偏差值-4027125校正线性误差后线性偏差值-4027125
2.7V-0.54-0.69-0.86-2.7V-0.0046-0.0064-0.01
3.0V000-3.0V000
3.3V1.530.620.78-3.3V0.00320.00450.006

电源电压变化带来的误差最大为0.01°C。

4、电路自身的非线性误差

从上面看到,经第一步调整后的电路,非线性误差为
-0.4141°C,下面分析误差来源。

分别拟合 α Δ V B E , V B E , V R E F \alpha \Delta V_{BE},V_{BE},V_{REF} αΔVBE,VBE,VREF
α Δ V B E : 0.480902 + 0.00175701 x − 1.93486 ∗ 1 0 − 7 x 2 \alpha \Delta V_{BE}:0.480902 + 0.00175701 x - 1.93486*10^{-7} x^2 αΔVBE:0.480902+0.00175701x1.93486107x2
V B E : 0.758548 − 0.00169646 x − 4.97924 ∗ 1 0 − 7 x 2 V_{BE}:0.758548 - 0.00169646 x - 4.97924*10^{-7} x^2 VBE:0.7585480.00169646x4.97924107x2
V R E F : 1.23944 + 0.0000614288 x − 6.94312 ∗ 1 0 − 7 x 2 V_{REF}:1.23944 + 0.0000614288 x - 6.94312*10^{-7} x^2 VREF:1.23944+0.0000614288x6.94312107x2

这个拟合意义好像不大,只能看出 V B E V_{BE} VBE贡献了更多的曲率来源。

看有些文档里讲,采用 X = V B E / Δ V B E X=V_{BE}/\Delta V_{BE} X=VBEVBE的线性度更好,而且这样就不必去产生基准电压了,省面积省功耗。
这个最后优化时候再看吧,先做ADC。

#暂时先这样。

下面是推导的灵敏度公式(书中是这么定义的),µ 近似为T/A,注意,这里的T指绝对温度。
方便以后拿来用。
S V B E D o u t ( T ) = ∂ D o u t ∂ V B E = A ∂ μ ∂ V B E ≈ − T V R E F , ( 3.9 ) S_{V_{BE}}^{D_{out}}(T) = \frac{\partial D_{out}}{\partial V_{BE}} = A \frac{\partial \mu}{\partial V_{BE}} \approx - \frac{T}{V_{REF}}, (3.9) SVBEDout(T)=VBEDout=AVBEμVREFT,(3.9)
S Δ V B E D o u t ( T ) = ∂ D o u t ∂ ( Δ V B E ) = A ∂ μ ∂ ( Δ V B E ) ≈ A − T V R E F α , ( 3.10 ) S_{\Delta V_{BE}}^{D_{out}}(T) = \frac{\partial D_{out}}{\partial (\Delta V_{BE})} = A \frac{\partial \mu}{\partial (\Delta V_{BE})} \approx \frac{A - T}{V_{REF}} \alpha, (3.10) SΔVBEDout(T)=(ΔVBE)Dout=A(ΔVBE)μVREFATα,(3.10)
S α D o u t ( T ) = ∂ D o u t ∂ α = A ∂ μ ∂ α ≈ T α ( 1 − T A ) , ( 3.11 ) S_{\alpha}^{D_{out}}(T) = \frac{\partial D_{out}}{\partial \alpha} = A \frac{\partial \mu}{\partial \alpha} \approx \frac{T}{\alpha} \left( 1 - \frac{T}{A} \right), (3.11) SαDout(T)=αDout=AαμαT(1AT),(3.11)

以下无用草稿,忽略。

假设线性误差全部由尾电流变化引起的:
在前面的基准电路的讨论中[【IC618-基准电路仿真】【进行中】【有部分细节待继续分析】](https://blog.csdn.net/Lennon_Code/article/details/137204560?spm=1001.2014.3001.5502)
使用理想电流源作为运放的尾电流源,电源电压变化带来的基准电压偏差为0.11mv,但使用基础偏置电路作为电流源后,电源电压变化带来的基准电压偏差为3.1mv,
按照计算,3.1m $\times$ 712=2.2,大致符合电源电压偏移跨度;而斜率变化是基准电压偏差高低温分布不均引起的。

扫描下基准点,运放差分对尾电流,运放增益级电流源的电流曲线:
![在这里插入图片描述](https://img-blog.csdnimg.cn/direct/c2a88eafdbcd4e58890e153bf0e88745.png)
补充下,VBE只有0.2mv的变化,图中红线为基准电压,变化为4.2mv,上面说的是3.1mv,这都是一个量级的。
可以看到,
**基准点电流变化为0.01uA,计算可知,对应电压变化为3mv,即基准电压的变化。**
增益级电流源电流变化约0.04uA,
差分对的尾电流源受电源电压变化影响较大,约0.93uA,接近1uA。

当电源电压变化时,差分对的尾电流源特性引起了基准电压变化,
具体应该体现为,差分放大器的共模抑制特性的不理想,导致额外的输出电压至基准端的电流源栅极,从而引起额外电流的变化。

使用理想运放验证下(我记得之前分析过,但电路结构变了,还是重新确认下吧):
![在这里插入图片描述](https://img-blog.csdnimg.cn/direct/bee2f11f59294e6f8c2ad03d6d9ef266.png)
**压差为1.63mV,有改善,但不大,很奇怪,我记得采用旧的架构下使用理想运放,压差只有0.21mv,问题出在哪?**

结合增益为110dB的实际运放,进行分析:
很好!
![在这里插入图片描述](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/0250a1ed8aebc0e9c9222ad0f662a566.png)
压差为0.015mv,等效温度偏差为0.01°C。




那么,如果使用理想尾电流源,0.11mv的变化大致为0.078°C,下面将尾电流源换为理想电流源,进行仿真验证:
微调参数后,
![在这里插入图片描述](https://img-blog.csdnimg.cn/direct/30abf306740d4b3a8ae09d83fe3827a4.png)

可以看到,偏移总跨度为0.28°C-0.4°C-0.5°C,高温处较为明显。斜率变化为0.9992-1.00059,变为原来的40%。
**偏移跨度并非计算中的0.078°C,但运放尾电流源的优化确实有利于精度的提升。说明电源电压从别的地方影响了基准电压的偏移。**

~~~~~~~~~~~~
**以上忽略**
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