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理论推导部分参考资料:Precision Temperature Sensors in CMOS Technology, Michiel A.P. Pertijs, Johan H. Huijsing
有个计算器使用的方法:
Virtuoso中使用calculator进行波形计算方法
找了半天才明白怎么用这个计算器。
1、Basic
纯模拟域,计算
μ
=
m
R
2
R
1
V
T
l
n
N
V
B
E
+
m
R
2
R
1
V
T
l
n
N
\mu= \frac{m\frac{R_2}{R_1}V_TlnN}{V_{BE}+ m\frac{R_2}{R_1}V_TlnN}
μ=VBE+mR1R2VTlnNmR1R2VTlnN
特性比想象的好:
(v(“/OUT_BGR” ?result “dc”)-v(“/V_BE” ?result “dc”))/v(“/OUT_BGR” ?result “dc”)
采用提高使用率的方案,特性依然比想象的好
((v(“/OUT_BGR” ?result “dc”)-v(“/V_BE” ?result “dc”))*2-v(“/V_BE” ?result “dc”))/v(“/OUT_BGR” ?result “dc”)
怎么最低处是个负值。。
先继续用第一个曲线
μ
=
m
R
2
R
1
V
T
l
n
N
V
B
E
+
m
R
2
R
1
V
T
l
n
N
=
m
R
2
R
1
26
×
1
0
−
3
300
T
l
n
N
V
r
e
f
\mu= \frac{m\frac{R_2}{R_1}V_TlnN}{V_{BE}+ m\frac{R_2}{R_1}V_TlnN}=\frac{m\frac{R_2}{R_1}\frac{26\times10^{-3}}{300}TlnN}{V_{ref}}
μ=VBE+mR1R2VTlnNmR1R2VTlnN=VrefmR1R230026×10−3TlnN
可得
T
=
637.52
μ
−
273
T=637.52\mu-273
T=637.52μ−273
在电源电压为3V时进行微调:
T
=
712.26
μ
−
276.022
T=712.26\mu-276.022
T=712.26μ−276.022
有偏低的非线性,误差达到0.75°C
2、仿真分析
电源电压扫描:
偏差值 | -40 | 27 | 40 | 125 |
---|---|---|---|---|
2.7V | -0.54 | -1.41 | -1.47 | -0.86 |
3.0V | 0 | -0.72 | -0.76 | 0 |
3.3V | 1.53 | -0.1 | -0.13 | 0.78 |
仅计算电源误差时,消去非线性:
线性偏差值 | -40 | 27 | 40 | 125 |
---|---|---|---|---|
2.7V | -0.54 | -0.69 | -0.71 | -0.86 |
3.0V | 0 | 0 | 0 | 0 |
3.3V | 1.53 | 0.62 | 0.63 | 0.78 |
可以看到,误差由两部分组成
1)电源电压变化带来的 线性误差:
····1)偏移变化:总跨度为2°C左右;
····2)斜率变化:为1.0015~0.998;
2)电路自身的非线性误差,极值为-0.76°C;
下面进行误差分析。
3、线性误差分析
上一节提到,电源电压变化带来的线性误差,偏移总跨度在2°C左右,斜率变化为0.998-1.0015。
【1】原因1:结构不对称时,电源电压变化会引起vds不一致,引起电流失配:
1、非对称架构
压差为1.21mv,等效温度偏差为0.86°C。
2、对称架构:
压差为0.015mv,等效温度偏差为0.01°C。
【2】原因2:运算放大器增益不够高时,电源电压变化对其影响较大。
下面的数据是使用理想运放进行分析的:
非对称架构:
理想运放增益为1000时,压差为6.81mv,
理想运放增益10000时,压差1.63mv,
理想运放增益为27000倍时,压差为1.28mv,
对称架构:
理想运放增益为1000时,压差为5.72mv,
理想运放增益10000时,压差0.57mv,
理想运放增益27000时,压差0.21mv,
理想运放增益100000时,压差0.057mv。
【3】考虑后续的应用场景最好使用非对称电路,尝试能否降低非对称架构的 λ \lambda λ,以减少压差:
增加L:
L=1u,压差1.31mv
L=2u,压差0.81mv
L=5u,压差0.254mv
L=10u,压差0.10mv,等效温差0.07°C。
L=20u,压差0.045mv,等效温差0.032°C。
再大可能不太合适了,面积太大。
暂时选取为20u。
【4】仿真验证效果
微调:
((v(“/OUT_BGR” ?result “dc”)-v(“/V_BE” ?result “dc”))/v(“/OUT_BGR” ?result “dc”))*711.044-276.1191
偏差值 | -40 | 27 | 125 | 校正线性误差后 | 偏差值 | -40 | 27 | 125 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2.7V | -0.54 | -1.41 | -0.86 | - | 2.7V | -0.0046 | -0.4205 | -0.01 |
3.0V | 0 | -0.72 | 0 | - | 3.0V | 0 | -0.4141 | 0 |
3.3V | 1.53 | -0.1 | 0.78 | - | 3.3V | 0.0032 | -0.4096 | 0.006 |
仅计算电源误差时,消去非线性:
线性偏差值 | -40 | 27 | 125 | 校正线性误差后 | 线性偏差值 | -40 | 27 | 125 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2.7V | -0.54 | -0.69 | -0.86 | - | 2.7V | -0.0046 | -0.0064 | -0.01 |
3.0V | 0 | 0 | 0 | - | 3.0V | 0 | 0 | 0 |
3.3V | 1.53 | 0.62 | 0.78 | - | 3.3V | 0.0032 | 0.0045 | 0.006 |
电源电压变化带来的误差最大为0.01°C。
4、电路自身的非线性误差
从上面看到,经第一步调整后的电路,非线性误差为
-0.4141°C,下面分析误差来源。
分别拟合
α
Δ
V
B
E
,
V
B
E
,
V
R
E
F
\alpha \Delta V_{BE},V_{BE},V_{REF}
αΔVBE,VBE,VREF
α
Δ
V
B
E
:
0.480902
+
0.00175701
x
−
1.93486
∗
1
0
−
7
x
2
\alpha \Delta V_{BE}:0.480902 + 0.00175701 x - 1.93486*10^{-7} x^2
αΔVBE:0.480902+0.00175701x−1.93486∗10−7x2
V
B
E
:
0.758548
−
0.00169646
x
−
4.97924
∗
1
0
−
7
x
2
V_{BE}:0.758548 - 0.00169646 x - 4.97924*10^{-7} x^2
VBE:0.758548−0.00169646x−4.97924∗10−7x2
V
R
E
F
:
1.23944
+
0.0000614288
x
−
6.94312
∗
1
0
−
7
x
2
V_{REF}:1.23944 + 0.0000614288 x - 6.94312*10^{-7} x^2
VREF:1.23944+0.0000614288x−6.94312∗10−7x2
这个拟合意义好像不大,只能看出 V B E V_{BE} VBE贡献了更多的曲率来源。
看有些文档里讲,采用
X
=
V
B
E
/
Δ
V
B
E
X=V_{BE}/\Delta V_{BE}
X=VBE/ΔVBE的线性度更好,而且这样就不必去产生基准电压了,省面积省功耗。
这个最后优化时候再看吧,先做ADC。
#暂时先这样。
下面是推导的灵敏度公式(书中是这么定义的),µ 近似为T/A,注意,这里的T指绝对温度。
方便以后拿来用。
S
V
B
E
D
o
u
t
(
T
)
=
∂
D
o
u
t
∂
V
B
E
=
A
∂
μ
∂
V
B
E
≈
−
T
V
R
E
F
,
(
3.9
)
S_{V_{BE}}^{D_{out}}(T) = \frac{\partial D_{out}}{\partial V_{BE}} = A \frac{\partial \mu}{\partial V_{BE}} \approx - \frac{T}{V_{REF}}, (3.9)
SVBEDout(T)=∂VBE∂Dout=A∂VBE∂μ≈−VREFT,(3.9)
S
Δ
V
B
E
D
o
u
t
(
T
)
=
∂
D
o
u
t
∂
(
Δ
V
B
E
)
=
A
∂
μ
∂
(
Δ
V
B
E
)
≈
A
−
T
V
R
E
F
α
,
(
3.10
)
S_{\Delta V_{BE}}^{D_{out}}(T) = \frac{\partial D_{out}}{\partial (\Delta V_{BE})} = A \frac{\partial \mu}{\partial (\Delta V_{BE})} \approx \frac{A - T}{V_{REF}} \alpha, (3.10)
SΔVBEDout(T)=∂(ΔVBE)∂Dout=A∂(ΔVBE)∂μ≈VREFA−Tα,(3.10)
S
α
D
o
u
t
(
T
)
=
∂
D
o
u
t
∂
α
=
A
∂
μ
∂
α
≈
T
α
(
1
−
T
A
)
,
(
3.11
)
S_{\alpha}^{D_{out}}(T) = \frac{\partial D_{out}}{\partial \alpha} = A \frac{\partial \mu}{\partial \alpha} \approx \frac{T}{\alpha} \left( 1 - \frac{T}{A} \right), (3.11)
SαDout(T)=∂α∂Dout=A∂α∂μ≈αT(1−AT),(3.11)
以下无用草稿,忽略。
假设线性误差全部由尾电流变化引起的:
在前面的基准电路的讨论中[【IC618-基准电路仿真】【进行中】【有部分细节待继续分析】](https://blog.csdn.net/Lennon_Code/article/details/137204560?spm=1001.2014.3001.5502)
使用理想电流源作为运放的尾电流源,电源电压变化带来的基准电压偏差为0.11mv,但使用基础偏置电路作为电流源后,电源电压变化带来的基准电压偏差为3.1mv,
按照计算,3.1m $\times$ 712=2.2,大致符合电源电压偏移跨度;而斜率变化是基准电压偏差高低温分布不均引起的。
扫描下基准点,运放差分对尾电流,运放增益级电流源的电流曲线:
![在这里插入图片描述](https://img-blog.csdnimg.cn/direct/c2a88eafdbcd4e58890e153bf0e88745.png)
补充下,VBE只有0.2mv的变化,图中红线为基准电压,变化为4.2mv,上面说的是3.1mv,这都是一个量级的。
可以看到,
**基准点电流变化为0.01uA,计算可知,对应电压变化为3mv,即基准电压的变化。**
增益级电流源电流变化约0.04uA,
差分对的尾电流源受电源电压变化影响较大,约0.93uA,接近1uA。
当电源电压变化时,差分对的尾电流源特性引起了基准电压变化,
具体应该体现为,差分放大器的共模抑制特性的不理想,导致额外的输出电压至基准端的电流源栅极,从而引起额外电流的变化。
使用理想运放验证下(我记得之前分析过,但电路结构变了,还是重新确认下吧):
![在这里插入图片描述](https://img-blog.csdnimg.cn/direct/bee2f11f59294e6f8c2ad03d6d9ef266.png)
**压差为1.63mV,有改善,但不大,很奇怪,我记得采用旧的架构下使用理想运放,压差只有0.21mv,问题出在哪?**
结合增益为110dB的实际运放,进行分析:
很好!
![在这里插入图片描述](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/0250a1ed8aebc0e9c9222ad0f662a566.png)
压差为0.015mv,等效温度偏差为0.01°C。
那么,如果使用理想尾电流源,0.11mv的变化大致为0.078°C,下面将尾电流源换为理想电流源,进行仿真验证:
微调参数后,
![在这里插入图片描述](https://img-blog.csdnimg.cn/direct/30abf306740d4b3a8ae09d83fe3827a4.png)
可以看到,偏移总跨度为0.28°C-0.4°C-0.5°C,高温处较为明显。斜率变化为0.9992-1.00059,变为原来的40%。
**偏移跨度并非计算中的0.078°C,但运放尾电流源的优化确实有利于精度的提升。说明电源电压从别的地方影响了基准电压的偏移。**
~~~~~~~~~~~~
**以上忽略**