关于偏置电路，电流镜结构，基准电路的思考【进行中】

看了吴金老师的课，目前看到运放，对于前面的偏置，电流镜，基准电路总有一种突兀感（视频有点缺失，电流源结构是突然出现的），应当是刚开始学的关系，在此复盘思考一下，或有谬误，不断修正中。

梳理下逻辑线：

1、功能电路需要PVT变化时，直流工作点稳定，因此需要偏置/基准电路提供恒流或恒压（什么时候用偏置？什么时候需要上基准？有点懵比）

各类功能的电路工作时，其中的mos器件一般需要工作在饱和区，因此，需要稳定的直流工作点，以保证电路特性不发生预期以外的变化。

“稳定”是什么意思？即PVT变化下保持稳定，Process(工艺)，Vdd(电源电压)，Temperature(温度)。即此三者发生变化时，仍能保证电流的直流工作点不改变。
1）Process:生产工艺扩散。只能通过减小电路相关因子，以及后期流片后修调，来修正。
2）Vdd:电源电压的变化。通过设计偏置电路，该电路可以输出与电源无关的偏置电压和偏置电流。
3）T：温度变化。该电路通过偏置电路的基础上，带隙基准电路(BGR)实现，核心思路为温度补偿策略。

因此，我们需要按照需求，给功能电路提供一个基准电压或基准电流，以保证功能电路的静态工作点不随PVT发生偏移。

2、考虑设计偏置电路，要求V即电源电压变化时，输出恒定的电压和恒定的电流

注意：“变化”是什么意思？一般我们认为，是指在某个固定的电源电位下，上下百分比的波动，如3V±10%，而不是大范围的几伏变化。因此，针对Vdd变化，我们一般按照交流分析，采用交流阻抗探寻其偏置电压和偏置电流的稳定性。

因此，Vdd变化时，要求偏置电路能够输出：恒定的电压和恒定的电流。分别需要理想电压源和理想电流源。这两者可以通过MOS管相互转换。

1）电流转电压源：通过串联MOS-Diode进行转换:

$V_R(即V_{GS})$拉出电压为恒定值。

从I-V曲线特性来讲，其I-V曲线近似为平方律特性，故小电流变化不会引起大的电压变化。
从交流阻抗来讲，MOS-Diode的交流阻抗很小（即I-V曲线的倒数），故分压得到的电源扰动很低，另外，如果上面电流源的特性比较理想，该电流源交流输出阻抗无穷大，则MOS-Diode分压更低。
即：
$$\Delta V_{MOS-Diode}=\frac{r}{\infty +r}=0$$

2）电压转电流源：通过并联MOS-饱和区进行转换：

将左侧的电压源$V_{}$