所有电路参数
根据上一节具体器件参数选型，得到各参数的具体值如下：
电感选型
明确选型要求：电感最小感量32uH、最小饱和电流5.75A。电感的选取主要考虑电感的直流偏置特性。
饱和电流定义：电感感量下降20%、**30%**或40%时，对应的偏置电流。
在选择电感时，并非直接taobao搜索32uH 5.75A电感。在电感选型时，主要应考虑电感的直流偏置特性，即流过电感电流变化时，电感感量会随之变化！通常流过电感电流越大，电感感量越小。
同时，常用的标准电感值常在：33uH、47uH、68uH、100uH、150uH。根据taobao上的一款一体式电感。该电感的饱和电流值对应的是指电感值下降30%时对应的电流。若选用47uH的电感，电流为9.5A时，电感感量仅为33uH。额定工作时电感电流也不会超过9.5A，因此，若产品没有虚标，可款电感也是满足设计要求的。故本设计选用这款47uH，9.5A饱和电流的电感。同时注意到，该电感还有一个温升电流，即电流达到Idc时，电感温度升高△40℃。即室温为25℃时，电感温度将升至65℃。
综上所述，可知电感感量的选取为何需要预留1.5-2倍。
若自己选择磁芯绕制电感，则需要考虑磁芯的直流偏置曲线：横轴为安匝比，纵轴为电感系数。具体的设计流程，可参考博客：磁环电感的选择与计算。
输入输出滤波电容
对于输入输出滤波电容的选取，主要考虑电容的三个方面：①阻抗频率特性；②直流偏压特性；③精度和温度范围
为缩小设计体积，本设计采用陶瓷电容作为系统输入输出滤波电容。根据计算，Ci≥33.133uF，ESRi≤35mR；Co≥9.375uF，ESRo≤67mR。
首先分析电容的阻抗频率特性：首先，实际的电容并非理想电容，还存在ESR和ESL。在不同频率下，会存在RCL谐振的状态。这个谐振状态对应的就是电容的阻抗频率特性。
对于不同电容值，其阻抗频率有所区别。下面的阻抗频率曲线仅做大致参考。
其次，对于电容的直流偏压特性如下，随之直流电压的升高，电容量几乎呈线性下降。同时，可以看到，选择不同的最大直流电压值，对应的电容量变化率会有区别。一般而言，都会让额定电压留有70%的余量，大概是1.5倍左右。因此本设计输入电容耐压值选用100V。电容随着直流电压的增加，可见电容量约降为初始值一半，因此实际电容应该以实际值的2-3倍。本设计采用4个1210 22uF电容并联。
同理，输出电容耐压值选用63V，电容值采用4个1206 10uF电容并联。
精度和温度范围：一类陶瓷电容和二类陶瓷电容又是什么？常用的X5R、X7R究竟代表什么？
1类电容有如下特征：例如：C0G
- 线性温度系数：容值随温度的变化呈线性变化。
- 非电压依赖性：容值与外加电压大小无关。
- 无老化：由于使用的材料特性，无明显的老化特征。
- 无电损耗：与2类电容器相比，具有明显较低的电损耗。
- 在高Q滤波器中使用：由于上述特性，1类电容被应用于诸如谐振电路、PLL电路和振荡器电路中。
高可靠性和精度。
2类电容有如下特征：例如：X5R、X7R
- 非线性温度系数：容值随温度的变化呈非线性变化。
- 高电压依赖性：容值高度依赖于施加的电压。
- 老化特征：由于制造中使用的铁电材料，2类电容会有显著的老化过程。
- 高电损耗：与第1类电容器相比，具有显著较高的电损耗。
- 高容量密度：由于介电常数高，体积密度高。
- 高电容值：由于介电常数较高，在0201、0402、0603等小器件外壳中可以实现较大的电容值。用于滤波平滑电路中：由于上述特性，2类电容常被用于旁路、耦合、解耦等应用。
- 较低的稳定性和精度。
MOS管选型
对于上管Q1和下管Q2，漏源电压和电流均为60V和5.75A。
MOS管的选型，对于漏源电压而言，通常需要考虑漏源电压尖峰，并且漏源电压的尖峰一般不超过漏源电压的80%。因此，漏源电压一般预留1.5-2倍的。本设计选用150V漏源电压。
对于漏源电流而言，通常考虑MOS管的温度特性，如下图所示（ NCEP1520K(无锡新洁能) ），当管子温度上升至125℃时，漏源电流仅为额定漏源电流的一半。因此漏源电流一般预留1.5-2倍。本设计选用无锡新洁能的NCEP1520K，常温下漏源电流为20A。
同理，对于MOS管的内阻而言，也有温度特性。但这个管子Datasheet只有内阻随漏源电流变化的曲线，同理，应该看工作状态下MOS管的导通内阻，进行损耗计算。
总结
综上所述，在选择开关电源的电路器件时，应该考虑工作状态下（高温、高压、大电流等情况下）器件的参数。换句话说，就是器件在静态条件下和工作环境下，器件的参数大相径庭！！！
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