单片机应用电路EMC（电磁兼容）设计概要(1)

引言

半导体行业面临着对微控制器性能和复杂性不断提升以及成本降低的持续需求。这要求开发具有高密度设计技术和更高时钟频率的微控制器。这些因素本质上增加了微控制器设备的噪声发射和噪声敏感性。 因此，应用开发人员现在必须在他们的固件设计、PCB布局以及系统级别应用电磁兼容性(EMC)“硬化”技术。 本应用说明解释了微控制器的EMC特性和合规标准，以帮助应用设计者达到最佳的EMC性能水平。

1. 一般信息

本文档适用于基于Arm®的设备。Arm是Arm Limited（或其子公司）在美国和/或其他地方的注册商标。

注意： Arm是Arm Limited（或其子公司）在美国和/或其他地方的注册商标。

**翻译如下：**

2. EMC定义

2.1EMC

电磁兼容性(EMC)是指系统在其正常环境中不受电磁现象干扰，能正常工作的能力，并且不会制造会干扰其他设备的电气干扰。

2.2 EMS

电磁敏感性(EMS)水平是设备对电气干扰和传导性电气噪声的抵抗力。静电放电(ESD)和快速瞬态脉冲(FTB)测试可以确定设备在不理想的电磁环境中运行的可靠性水平。

2.3 EMI

电磁干扰(EMI)是由设备产生的传导或辐射性电气噪声的水平。传导发射沿着电缆或任何互连线传播。辐射发射通过自由空间传播。

注：EMC、EMS和EMI是电磁兼容性领域的三个关键概念，它们描述了设备在电磁环境中的性能和影响。EMC关注设备在正常工作时不受电磁干扰也不产生干扰的能力；EMS关注的是设备对电磁干扰的抵抗能力；而EMI则关注的是设备可能产生的干扰水平。

3. 微控制器的EMC特性

3.1 电磁敏感性(EMS)

执行两种不同类型的测试：

• 供电设备的测试（功能性EMS测试和闩锁效应）：在应力作用期间监控设备行为。

• 不供电设备的测试（绝对电气敏感性）：在应力后在测试仪上检查设备的功能性和完整性。

3.1.1 功能性EMS测试

执行功能性测试以测量在应用中运行的微控制器的鲁棒性。基于一个简单的程序（通过I/O端口交替闪烁两个LED灯），产品会被两种不同的EMC事件应力，直到发生失控条件（故障）。

功能性静电放电测试(F_ESD测试)

对任何新的微控制器设备执行此测试。每个引脚都单独用单个正或负的电放电进行测试。这允许在芯片内部进行故障调查，并进一步提出应用建议，以保护相关的微控制器敏感引脚免受ESD的影响。

高静电电压既有自然来源也有人为来源。一些特定设备可以再现这种现象，以便在真实条件下测试设备。下面描述了设备、测试序列和标准。微控制器F_ESD资格测试使用表1中给出的标准作为参考。

表1. ESD标准 欧洲标准 国际标准 EN 61000-4-2 EC 61000-4-2 描述 传导性ESD测试 F_ESD测试使用信号源和功率放大器在微控制器中产生高水平的场。绝缘体使用圆锥形尖端。这个尖端放置在被测试的设备或设备(DUT或EUT)上，然后施加静电放电（见图1）。

图1 ESD测试

 图2 接触放电的典型电流波形

 图3 ESD发生器简图

Rch = 50 MΩ, Rd = 330 Ω

快速瞬态脉冲(FTB)

放电回连 比功能性ESD更复杂，这项测试在短时间内对设备施加大量的发射干扰。它有助于检测微控制器的不常见和不可恢复（B类或C类）状态。FTB干扰（见图4）通过电容耦合网络施加到微控制器的电源线上。 微控制器FTB测试与表2中给出的标准相关联。

表2. FTB标准

欧洲标准	国际标准	描述
EN 61000-4-4	IEC 61000-4-4	快速瞬态脉冲群测试

注：快速瞬态脉冲群(FTB)测试是用来模拟电源线上可能由开关操作或其他瞬态事件引起的快速瞬态干扰的一种测试方法。EN 61000-4-4和IEC 61000-4-4标准定义了这种测试的详细要求和方法。

图4 FTB波形

尖峰频率为5 kHz。发生器产生的尖峰脉冲群持续时间为15毫秒，每300毫秒产生一次（共75个尖峰）。快速瞬态通过电容器CC耦合到设备DUT（见图5）。

图5 耦合网络 

 测量在接地平面上进行。发生器通过一根短导线连接到接地平面。 供电导线距离接地平面10厘米。DUT（待测设备）位于距离接地平面10厘米的绝缘体上。 FTB（快速瞬态脉冲群）电压等级逐步增加，直至设备发生故障。 严重程度等级和类别帮助应用设计者确定哪些微控制器适合他们的目标应用，依据数据表中指出的敏感性等级（严重程度等级）和行为类型（类别）。

MCU的ESD严重程度等级和行为类别

IEC 61000-4-2和IEC 61000-4-4标准并不特别指半导体组件，如微控制器。通常电磁应力被施加在系统的其他部分，如连接器、电源、供电等。F_ESD和FTB测试的能量水平在到达微控制器之前会降低，这是由物理定律决定的。MCU厂商收集了大量关于微控制器在不同应用环境中行为的统计数据，并利用这些数据开发了F_ESD或FTB测试电压与IEC 61000-4-2/61000-4-4严重程度等级之间的相关性图表（见表3）。

表3. MCU ESD严重程度等级

严重程度等级	ESD (IEC 61000-4-2) 设备标准 (kV)	FTB (IEC 61000-4-4) 设备标准 (kV)	ESD MCU内部EMC测试 (kV)	FTB MCU内部EMC测试 (kV)
1	2	4	0.5	≤ 0.5
3	4	6	1	≤ 1
4	6	8	2	≤ 1.5
5(1)	>8	>8	4	≤ 2
5(1)	>8	>8	>4	> 2.5

注1：严重程度等级5是在2015年12月14日引入的。较旧的产品即使可能通过等级5，也可能显示等级4。

除了这个严重程度等级，根据EN 50082-2标准，微控制器(MCU)在ESD（静电放电）应力下的行为可以被分为不同的行为类别（见下表）。

表4. MCU行为类别

类别	行为描述
Class A	未检测到故障
Class B	检测到故障，但在干扰后可以自我恢复
Class C	需要外部用户操作才能恢复正常功能
Class D	不能恢复正常功能

任何处于“接受限制”以下的微控制器都被视为失败。“目标水平”是MCU用来定义良好的EMS（电磁敏感性）性能的水平。

Class B可能由以下原因引起：

• 由固件正确管理的寄生复位（首选情况）
• 被应用程序恢复的外设寄存器或内存的去编程
• 由看门狗或其他固件实现恢复的阻塞状态

Class C可能由以下原因引起：

• 应用程序未恢复的外设寄存器或内存的去编程
• 需要外部用户操作的阻塞应用程序状态

下表显示了MCU的目标和接受限制。

表5. F_ESD/FTB目标水平和接受限制

限制/水平	F_ESD (千伏)	FTB (千伏)
接受限制	0.5	0.5
目标水平	>1	>1.5

在“接受限制”和“目标水平”之间，设备对噪声相对敏感。在系统设计期间必须特别注意，以避免敏感性问题。

下表显示了F_ESD/FTB测试结果如何在MCU数据表中呈现。

表6. F_ESD / FTB测试结果示例

符号	等级	条件	条件/标准
VF_ESD	为在任何输入/输出(I/O)引脚上引起功能性干扰而施加的电压限制	TA=+25 °C	2/A，3/B
VFTB	为了引起功能性干扰，通过100皮法(pF)的电容在VSS（地）和VDD（电源）引脚上施加的快速瞬态电压脉冲限制	TA=+25 °C	3/B

注："VF_ESD" 是指在任何I/O引脚上应用以引起功能扰动的电压限制。"VFTB" 是指通过100皮法(pF)电容在VSS和VDD引脚上应用以引起功能扰动的快速瞬态电压脉冲限制。"TA=+25 °C" 指的是测试在25摄氏度的环境温度下进行。"2/A, 3/B" 可能指的是测试的等级或分类标准。

3.1.2 闩锁（LU）

静态闩锁（LU）测试 闩锁是一种现象，它被定义为由于过应力触发的寄生晶闸管结构而导致的高电流消耗，需要断开电源供应才能恢复初始状态。 过应力可能是电压或电流的突波、电流或电压变化率的过度，或任何其他导致寄生晶闸管结构自持的异常条件。 如果通过低阻抗路径的电流在幅度或持续时间上得到充分限制，闩锁不会损坏设备。 此测试符合EIA/JESD 78 IC闩锁标准。

真正的LU是自持的，一旦触发，高电流条件就会持续，直到从设备中移除电源电压为止。如果仅移除触发电压时高电流条件停止，则认为已诱导了暂时性的LU条件。

为了评估闩锁性能，需要在10个部件上进行两个互补的静态测试：

• 电源过电压（应用于每个电源引脚）模拟用户在电源上施加瞬态过电压的情况。

• 电流注入（应用于每个输入、输出和可配置的I/O引脚）模拟应用中由于施加在引脚上的电压超过最大额定条件，如由于振铃导致的输入上超过VDD的严重过冲或低于地的下冲。

下表显示了如何在ST数据表中呈现LU测试结果。

表7. STM32L062K8上LU测试结果的示例

符号	参数	条件
LU	静态闩锁等级	TA=+125°C，符合JESD78A

1. 等级描述：“A”等级是内部规格。其所有限制都高于JEDEC规格，这意味着当一个设备属于A等级时，它超过了JEDEC标准。“B”等级严格涵盖所有JEDEC标准（国际标准）。

动态闩锁（DLU）测试

当微控制器“运行”时，对产品进行评估，以了解其对ESD放电的LU敏感性。 逐渐增加的静电放电被提供给组件的每个引脚，直到发生闩锁。结果是在不发生闩锁的情况下所能容忍的最大电压。

DLU测试方法和特性：当微控制器运行时，对三个样品的每个引脚应用静电放电（先是一个正测试，然后是一个负测试），以评估动态模式下的闩锁性能。电源供应设置为典型值。振荡器尽可能靠近微控制器的引脚，组件置于复位模式。

LU/DLU测试设备与用于功能性EMS的测试设备相同（见图1）。

3.1.3 绝对电气敏感性

此测试用于评估组件对由ESD引起的破坏的免疫力。任何在此电气测试程序中失败的设备都被视为失败。

使用自动ESD测试仪，根据每个引脚组合，将静电放电（一个正脉冲，然后是一个负脉冲，间隔1秒）施加到每个样品的引脚上。样品大小取决于设备的电源引脚数量（3个部件*(n+1)，其中n=电源引脚）。

通常模拟两种模型：人体模型（HBM）和带电器模型（CDM）。所有部件在生产测试机上重新测试，以验证静态和动态参数仍符合设备数据表（见图6）。

图6 绝对电器敏感性模型

人体模型(HBM)测试

人体模型(HBM) ESD脉冲模拟了从人体直接向测试设备转移静电电荷的过程。一个100皮法(pF)的电容器通过一个开关元件和一个1.5千欧姆(KΩ)的串联电阻器放电。这目前是业界最常请求的模型，用于分类设备对ESD的敏感度。

• 通过S1，CL被高压(HV)脉冲发生器加载。

• S1从发生器切换到R（电阻）的位置。

• 从CL通过R（人体电阻）向微控制器放电。

• 为了确保微控制器不会处于充电状态，S2必须在脉冲传递期后10到100毫秒内关闭。在下一个脉冲传递前至少10毫秒，S2必须打开。

自2018年以来，MCU根据JEDEC ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2014标准进行CDM ESD敏感度特性化，该标准取代了ANSI/ESD STM5.3.1标准，见表9进行设备分类水平的比较。

根据ANSI-ESD STM5.3.1的分类

表8. CDM ESDS组件分类水平

类别	电压范围 (V)
C1	< 125
C2	125 to < 250
C3	250 to < 500
C4	500 to < 1000
C5	1000 to < 1500
C6	1500 to < 2000
C7	≥ 2000

表9. 根据ANSI/ESDA/JEDEC JS-002的分类

分类等级	分类测试条件 (V)
C0a	< 125
C0b	125 to < 250
C1	3.2
C2a	3.2.1
C2b	250 to < 500
C3	500 to < 750
	750 to < 1000
	≥ 1000

**注：**表9显示了根据ANSI/ESDA/JEDEC JS-002标准对ESD敏感度的分类水平。每个分类等级都对应一个特定的电压范围，用于评估和分类微控制器或其他电子元件对静电放电的敏感度。

电磁干扰(EMI)

EMI辐射测试

此测试与IEC 61967-2标准相关联。它很好地评估了微控制器在应用环境中对辐射噪声的贡献。它考虑了MCU芯片以及封装，封装对设备辐射的噪声有重大影响。 一般来说，属于特定封装家族的封装越小，产生的噪声越低。 下面列出了封装对EMI贡献从高到低的顺序：

• SOP

• QFP

• TQFP

• FBGA

• CSP

测试是在横电磁模式室(TEMCELL或GTEM)中进行的，它允许在两个方向上测量辐射噪声，将测试板旋转90°。

**注：**自2015年12月14日以来，发射测量频率范围的上限已从1 GHz扩展到2 GHz，使用不同的设置。这些变化的原因和方式在附录A中描述，以及用于100 kHz-1 GHz测量数据的分类方法。

测试描述

运行的固件基于一个简单的应用程序，通过I/O端口切换两个LED灯。 IEC61967标准与测试硬件相关的主要指令如下（见图8）：

• 100 x 100毫米的方形板。

• 至少是2层板（理想情况下是4层）。

• 两侧都有5毫米的导电边缘连接到地，以便与TEMCELL接触。

**注：**在翻译中，“C1”和“C2a”“C2b”的分类测试条件可能需要根据实际的测试电压进行调整，因为“3.2”和“3.2.1”看起来像是文档的章节或小节编号，而非电压值。如果它们确实是电压值，那么它们应该直接翻译为相应的数值。如果它们是文档的引用，请根据实际情况进行适当的引用或说明。

下图展示了一个典型的微控制器(MCU) EMC测试板电路图的例子。

图7. MCU测试板电路图的示例

频谱分析仪设置

IEC61967-1标准描述了频谱分析仪的硬件和软件设置。尽管有这些指令，但必须根据所测量信号的类型（窄带或宽带）选择分辨率带宽。 下表定义了分辨率带宽(RBW)与发射测量频率范围的关系。

表10. 频谱分析仪分辨率带宽与频率范围（宽带EMI）

频率范围 (MHz)	分辨率带宽 (RBW)	检测器
0.1 - 1	10 kHz	峰值
1 - 10	10 kHz
10 - 100	10 kHz
100 - 1000	100 kHz
1000 - 2000	1 MHz