常用半导体器件

常用半导体器件

1.半导体

导电能力介于导体与绝缘体之前的物质,导电性能由原子结构决定

2.本征半导体

纯净的具有晶体结构的半导体

半导体中原子与原子由共价键连接形成

本征激发:由于热运动,具有足够能量的电子摆脱共价键的束缚成为自由电子,温度会影响该运动的激烈程度,进而增大自由电子和空穴的浓度

空穴:自由电子的产生使共价键中留有一个空位置,称为少子

复合:空穴与自由电子碰撞同时消失

载流子:运载电荷的粒子,两种载流子是空穴自由电子

3.杂质半导体

  • N型半导体

    在硅或锗的晶体中掺入少量五价杂质元素

  • P型半导体

    在硅或锗的晶体中掺入少量三价杂质元素

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  • 扩散运动:P区空穴浓度高,而N区自由电子浓度高,由于粒子会从高浓度往低浓度移动,所以会产生扩散运动,而在PN区交界处,P区的空穴在负原子附近停下,而自由电子固定在N区正原子处,最后形成内电场。形成的内电场同时也阻碍扩散运动的进行。

    [外链图片转存失败,源站可能有防盗链机制,建议将图片保存下来直接上传(img-uRFOvrgg-1631004302363)(C:\Users\lenovo\AppData\Roaming\Typora\typora-user-images\image-20210907162029759.png)]

  • 漂移运动:在空间电荷区内电场作用下,P区和N区的少数载流子将做定向运动,这种运动叫漂移运动。漂移运动的作用结果是产生漂移电流,并使空间电荷区变窄。

    4.PN结的单向导电性

    [外链图片转存失败,源站可能有防盗链机制,建议将图片保存下来直接上传(img-2X0QPTpS-1631004302366)(C:\Users\lenovo\AppData\Roaming\Typora\typora-user-images\image-20210907163311536.png)]

外链图片转存中…(img-2X0QPTpS-1631004302366)]

可通过内电场跟外加电流的方向来判断耗尽层变宽还是变窄,由于耗尽层的变化进而导致扩散运动和飘移运动的不同,进而影响PN结的导通和截止。

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