半导体器件基础01：关于PN结的那些事（3）

说在开头：关于量子（2）

1879年普朗克拿到了慕尼黑大学的博士学位，1887年，在基尔霍夫去世后，他接任了那个教授职位的空缺（亥姆霍兹本来推荐赫兹来继任这一职位的，结果赫兹拒绝了）。幸运之神降临到了普朗克头上，来到柏林大学，成为理论物理研究所主任。1896年，他读到了关于黑体辐射的论文，表现出了极大的兴趣。在他看来，维恩公式体现出来的这种物体内在规律：与物体本身性质无关的绝对规律。普朗克决定彻底解决黑体辐射这个问题，为那两个无法调和的公式而苦思冥想，终于有一天，他决定先把两个公式凑合凑合再说：先尝试凑出一个可以满足所有波段的公式来。其它问题就以后再说吧。10月19日，普朗克在柏林德国物理学会的会议上，把这个公式公布出来了；当晚就有人仔细的比较了这个公式和实验结果，让他惊喜的是：在每个频段都十分精确的与实验值相符。普朗克的帅脸一红：真是侥幸啊~

普朗克再次注视这个公式，它究竟代表了一个什么样的物理意义呢？他尴尬了：我自己也不知道啊！普朗克犯了难：维恩公式建立在粒子的基础之上，瑞利-金斯是建立在波的基础之上，那么新的公式究竟是建立在粒子还是波的角度上呢？作为一个传统的物理学家，普朗克总是尽可能地试图在理论内部解决问题，而不是颠覆这个理论以求得突破，更何况他面对的是大宗师：麦克斯韦的电磁理论。那段时间是普朗克一生中最忙碌和光辉的日子，他发现仅仅是引入分子运动理论还是不够的，在处理熵和概率的关系时，如果要使新方程成立，即必须做一个假定：能量在发射和吸收的时候，不是连续不断，而是分成一份一份的。

能量不连续就不连续好了，关我毛事？不错，但这是关乎物理学家们信念的大事：与有史以来所有物理学家的的观念截然相反。自从伽利略和牛顿用引入数学规则之后，一切自然的过程都被当成连续不间断的。而微积分也正是建立在连续的基础之上，牛顿和麦克斯韦的庞大体系便建筑在这个地基之上，几百年来人们从未有丝毫怀疑这个地基是否坚实。原来我们现实世界并不存在无穷小，包括能量、空间、时间，从普朗克尺度来看都是像台阶一样，有最小的尺度，我们不可能跨越半个台阶并停留在半空中；我们生活在一个离散的宇宙中！（参考自：曹天元-上帝掷骰子吗）

三，从量子理论角度重新看半导体

通过之前两章节的学习与思考，我们初步理解了半导体材料和PN结的工作及特性的基本原理，感觉PN结已经能被圆满地解释通透了；我都信心满满地以为自己已经搞懂了PN结，直到有天“碰到”了肖特基博士的二极管——肖特基二极管，产生了两个疑问始终不能解决：

1. 金属的“自由电子”浓度远大于N型半导体，为什么N半导体侧自由电子反而会“扩散”到金属侧？

2. 是否有更深层次的理论来“量化”半导体载流子和电流-电压关系？

——“量化”这词，是不是看起来就很高级？（以后再来分析“量化”为什么很高级）

我以为自己已经看到了整个世界，却不知道我看到的只是世界的一个角落。疑问就像是新世界的大门，它让你有机会看到另一方天地，你要做的便是找到这扇大门和钥匙，打开它，走进去。

所以我们现在要做的是放下原先地“偏见”，从量子理论的角度重新认识半导体，同时在学习和理解的过程中，与原先的知识相互印证。

1，本征半导体-固体量子理论基础

我们要通过量子理论来解释半导体，首先得了解一下量子理论是啥；不求理解，只是了解下量子理论的三个基础原理：（1）能量量子化理论；（2）波粒二相性原理；（3）不确定原理。

——量子理论的这几个基础原理，在 “量子论”的分享中会详细介绍。

1. 能量量子化理论，说明光子能量跟频率成正比：

1, 根据经典物理学理论，只要光强度足够大，电子就可以克服材料功函数（电子逸出材料表面所需的最小能量，肖特基二极管分析中用到）从表面发射出去，而该过程与照射光的频率无关；

2, 实验结果是：在恒定光强照射下，光电子的最大动能随着光频率呈线性变化，其极限频率为v = v0，低于此频率将不会产生光电子；

3, 1900年普朗克提出加热物体表面发出热辐射是不连续的假设，即所谓量子；

4, 1905年爱因斯坦提出了光波也是由分立粒子组成的假设（光子），从而解释了光电效应（爱大神因此获得诺贝尔物理学奖）；具有足够能量的光子，可以在材料表面激发出电子；而光子具有超出功函数所需的能量将转变为光电子的动能；

5, 光电效应体现了光子不连续的本质，同时表现出光子的粒子性；而光子的能量与波长呈倒数关系：波长越短，能量越高。

2. 波粒二相性原理，说明粒子具有波动性，符合波动理论：

1, 在光电效应中光波表现出粒子的特性，该特性有助于解释电磁波的康普顿效应实验：实验中X射线照在固体表面，其中一部分射线发生偏转，并且偏转的频率较入射波发生变化；实验结果显示X射线两字与电子之间相互作用及你却符合“撞球”式的碰撞规律；

2, 1924年，德布罗意提出存在物质波的假设，既然波有粒子性，那么粒子也应具有波动性，其假设就是波粒二象性原理；

3, 1927年Davisson和Germer设计了一个实验：利用加热的灯丝发射电子束，经过加速后射向镍晶体，同时检流计在不同角度探测散热出的电子；其散射电子的角度分布于光栅衍射所生成的干涉图形非常类似。

3. 不确定性原理，说明对于任何粒子，无法确定其准确位置，这只是个概率问题：

1, 1927年出现了海森堡不确定原理，最初为描述较小粒子而提出，用于描述哪些不能确定状态的亚原子粒子；

2, 不确定原理的首要观点是：对于同一粒子不可能同时确定其坐标和动量；第二个观点是：对于同一粒子不可能确定其能量和具有此能量的时间点；

3, 不确定原理的一个结论是：无法确定一个电子的准确坐标，那么将其替换为：确定某个坐标位置可能发现电子的概率。

2，本征半导体-能级理论

根据量子力学理论，被束缚在原子周围或有限空间电子的一个重要特性：电子的能量只能是分立值，即能量的量子化。用人话来说就是：电子只能出现在原子周边的一些特定能量轨道（能级）上。

再根据泡利不相容原理：任意给定量子态只能被一个电子占据。再用人话来说就是：同一能量轨道（能级）上的电子最多只能有两个自旋方向相反电子（电子的自旋产生磁矩，自旋电子的不平衡产生磁体）。

——宇宙中的物质拥有体积，我的手不能穿越我打字的键盘，而且也不会从地面掉进地心，这都是因为泡利不相容原理。

我们综合两大原理来描述电子：电子只能出现在原子周边的一些特定能量轨道（能级）上，而且同一能量轨道（能级）上的电子最多只能有两个自旋方向相反电子。

——举个栗子：H（氢）原子只有一个电子轨道（1s），最多允许有2个电子占据该轨道（能级状态）。随着原子核数量增加，电子层数增加，电子从最低能量（离原子核最近）慢慢填充，能量越来越大；第二层有4个电子轨道（2s+2p：s亚层有1电子轨道，p亚层有3个电子轨道）最多允许8个电子，第三层有8个电子轨道（3s+3p+3d：d亚层有5个电子轨道）最多允许16个电子，以此类推。这些电子轨道（能级状态）就是原子的能级。大家可以看到每一层对应不同数量的电子轨道，每个轨道允许2个电子占据；如下图所示。

1. 能带：当由许多个原子组成晶体时，由于晶体内原子之间的相互作用，原子能级会发生移动，原本一条能级变成一组差别细微的能级状态——能带（也称为允带：允许电子落在该位置）；由于能带内不同能级的能量差别非常小，所以很多时候在能带内可以忽略间隔，认为能量是连续的。

2. 禁带：能带之间存在没有能级的间隔，这个间隔就是禁带；

——电子无法落在禁带，甚至在不同能级跃迁时，也不可能出现在能带之间的禁带。

3. 满带：当原子处于基态时，所有电子从最低能级开始依次向上填充；电子刚好填充到某一个能带满，被填满的能带称为满带；

4. 价带（价带顶：Ev）：也称价电带，通常是指半导体或绝缘体中，在0K（绝对0度）时能被电子占满的最高能带；

——对半导体而言，此能带中的能级基本上是连续的，价电子不能在固体中自由运动，但若该电子受到光照/加热，它可吸收足够能量而跳入下一个容许的最高能区（导带），从而使电子可在固体中自由运动。

5. 导带（导带底：Ec）：由自由电子形成的能量空间，即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围；

——对于金属，所有价电子所处的能带就是导带；对于半导体，能量最高的价带到下一个能带（导带）的禁带宽度并不大，电子跃迁到到能带后就可以自由移动。　

6. 价电子：处在原子轨道中并呈键合状态（离子键，共价键，金属键、范德华建等）的电子。

——对于金属，所有价电子所处的能带就是导带；对于半导体或绝缘体，所有价电子所处的能带就是价带，比价带能量更高的能带是导带。

3，本征半导体-费米能级理论

我们第一步了解了原子中的电子能级结构，接下去就是要理解另外一个重量级的概念——费米能级；费米能级不是固定在如上描述中的任何一个能级/带中，它可以处于能带中的任何位置，当然也可以处于禁带之中。那它到底是个啥？

费米能级是指：在0K（绝对0度）条件下，电子充满能级所需要的阈值；即在费米能级以下的能级（能带）将被电子填满，而高于费米能级以上的所有能级（能带）都为空。还是不理解？好，我们再用人话来转述一遍：在绝对0度条件下，电子只能占据费米能级以下的能级（100%），但在大于绝对0度的任何温度时，占据费米能级的概率是50%。

——说到底，费米能级就是电子出现在该能级位置的概率，绝对0度时所有电子在费米能级以下，但是大于绝对0度时，电子就有一定的概率跃迁到更高级的能带中去。

如果还是看不懂也没关系，再举一个更普通的栗子：假设原子是地球，电子是水分子，那么费米能级就是海平面，在绝对0度时所有的水分子都在海平面以下，但在大于0K（绝对0度）条件下，有一定概率的水分子会气化，飞到水平面以上；那这个海平面就是费米能级。

如下图是不同温度下费米概率函数与能量之间的关系：横坐标为电子所处的能量，1/2概率处是费米能级，大于费米能级的能量越大，电子占据该能量的概率就越小，小于费米能级的能量越小，电子占据该能量的概率就越大。

我们既然学习了费米能级，那么就用费米能级的理论再来重新认识下：金属导体、半导体和绝缘体三种材料；如下图所示。

1. 金属：如上述章节所述，固体金属原子之间会形成键结构：金属键；它是失去电子的原子核和自由电子组成的电子云之间的静电库仑力，所以很多金属的价带和导带是重叠的。

——费米能级处于金属导带中间，说明金属在0K（绝对0度）条件下存在可以自由移动的电子。

2. 半导体：半导体的价带和导带是相互分离的，本征半导体的费米能级在导带和价带的正中间，在绝对0度条件下电子能级低于费米能级的价带中，所以半导体中没有可移动的自由电子；但在大于绝对0度条件下电子有一定概率跃迁到导带能级，形成自由电子，且随着温度的增加，禁带宽度由于原子热振动影响到了能带，其能带之间的间隙（禁带）会变窄，所以载流子的浓度也会增大，导电性能增加；

3. 绝缘体：绝缘体同半导体一样，费米能级在导带和价带之间，只是导带底（Ec）和价带顶（Ev）的禁带宽度远大于半导体，所以电子从价带顶跃迁到导带底的概率会小很多，导致绝缘体的导电性能会差很多。

4， P型N型半导体-费米能级理论

既然咱们都已经学了费米能力的理论，那么就用费米能级来解释：P型N型半导体由于掺入杂质，其费米能级也发生了相应的变化；分别看下P型和N型半导体的变化过程：

1. N型半导体：如下图所示，由于掺入带5个电子的杂质原子，其中4个电子与半导体结合成共价键；同时在禁带中靠近导带底部位置引入一组能级：施主能级，该能级是杂质原子剩余的1个电子的能级，它非常容易获得能量进入导带成为自由电子；这种类型的杂质原子向导带提供了电子，称之为施主杂质原子；

——由于施主杂质原子增加导带电子，并不产生价带空穴，所以此时半导体称为N型半导体（N表示带负电电子）。

2. P型半导体：由于杂质原子带3个价电子，并且与半导体结合成共价键，有一个共价键是空的；由于加入杂质后需要一个电子来填充这个“空”位，此时的杂质原子带负电，所以填入空位的电子能量必须比价电子能量高（同性相斥），但占据“空”位电子并不具有足够的能量进入导带，而是靠近价带顶部；价带上的电子能很容易跃迁到杂质“空”位，造成其它价电子位置将变空，空穴可以在晶体中运动形成电流；杂质原子从价带中获得电子，称之为受主杂质原子；

——受主杂质原子在价带上产生空穴，但能不在导带中产生电子；我们称这种类型半导体为P型半导体（P表示产生带正电的空穴）。

3. 本征半导体费米能级：上面已分析本征半导体的费米能级位于禁带中央附近；由于本征半导体电子浓度与空穴浓度相等，假设电子和空穴有效质量相等（其实空穴有效质量略大于电子质量），则本征半导体费米能级位于禁带中央（由理论计算所得）。

4. P/N型半导体费米能级：在室温状态下，施主能级基本处于完全电离状态，对于典型的掺杂（10¹⁶ cm⁻³）来说，强电离区内几乎所有施主杂质原子都向导带贡献了一个电子；受主原子也基本处于完全电离状态，即受主原子都从价带获得一个电子，从而每个受主原子都会在价带上产生一个空穴。如下图Efi为本征半导体费米能级，Ef为掺杂后半导体费米能级。N型半导体随着掺杂浓度增加费米能级越靠近导带底，P型半导体随着掺杂浓度增加费米能级越靠近价带顶。

5. 费米能级表征了半导体中自由电子/空穴的浓度比例，它会随着掺入杂质原子而改变，所以不同P/N型半导体的自由电子与空穴的浓度也不同；假设P/N型半导体自由电子浓度n0，和空穴浓度p0，那么在热平衡状态下n0*p0 = ni²，是一个常数；本征半导体的电子和空穴浓度随着掺杂而改变，但是本征浓度ni可以看做半导体材料的一个参数（保持不变）；

6. 本征载流子浓度ni是一个温度强相关函数，随着温度的增加产生出了额外的电子-空穴对；费米能级随着电子-空穴浓度比例的变化而发生变化。

5，PN结-费米能级

一个完整半导体材料：一部分掺入受主杂质原子形成P区，相邻的另一部分掺入施主杂质形成N区，分割成P区与N区的交界面称为冶金结；起初在冶金结所处的位置，电子和空穴都有一个很大的浓度梯度，两边载流子：N区的“自由电子”和P区的“空穴”分别向对端扩散，随着N区自由电子向P区扩散，带正电的施主离子被留在了N区，同时随着P区的空穴向N区扩散，带负电的受主离子留在了P区，从而在冶金结附近感生出了一个内建电场，方向是由N区指向P区；这两个带电区域就是：空间电荷区，又称为耗尽区。这是以电子“扩散”的理论来解释PN结的形成，那么如果用费米能级怎么来理解PN结呢？

1. 假设PN结两端没有外加电压偏置，那么PN结处于热平衡状态：整个半导体费米能级处处相等（如果费米能级不相等，PN结两边必然存在着能量的差异，将导致电子和空穴向着各自能量更低的方向转移（原理同热力学第二定律），直到费米能级平衡，能量差异消失：电子和空穴的分布也即趋于稳定），且是一个恒定值；

——由于P区和N区之间导带和价带相对位置会随费米能级的变化而变化，所以空间电荷区所在位置的导带和价带发生弯曲，如下图所示；

2. 此时N区导带内的“自由电子”在试图进入P区导带时遇到了一个势垒：内建电势差eVbi；该内建电势差维持了N区多子（自由电子）和P区少子（自由电子）之间以及P区多子（空穴）与N区少子（空穴）之间的平衡。eVbi维持了平衡状态，因此它在半导体内部不产生电流。

3. 若在P区和N区之间增加一个电压，那么PN结就不能再处在热平衡状态（热平衡状态不再满足）；

1, PN区外加反向偏压时：N区的费米能级要低于P区费米能级的位置，两者费米能级的差值刚好等于外加电压值(VR)*电子电量e；总电势差eVtotal=VR+Vbi。增加了的势垒高度继续阻止电子与空穴的流动，因此PN结内基本没有电荷（多子）的流动；

2, PN区外加正向偏压时：P区费米能级要低于N区费米能级的位置，总势垒高度下降了：eVtotal=Vbi-VR。降低了的势垒高度意味着空间电荷区的电场随之减弱，电场减弱则意味着原先扩散电流与漂移电流平衡被打破，电子和空穴不再分别滞留在N区和P区，于是就有由P区经空间电荷区到N区的“扩散空穴电流”，同理有由N区经空间电荷区到P区的“扩散电子电流”。

4. 热平衡状态下PN结导带能量图如下图所示：导带内N区电子数量远大于P区，内建电场阻止了N区自由电子向P区流动，即：内建电势差维持了PN结两侧各区域载流子之间的分布平衡；

5. PN结反偏产生电流：对于反偏PN结，一般认为在空间电荷区内不存在可移动的电子和空穴，但实际上在反偏电压下，空间电荷区内产生了自由电子-空穴对；这些自由电子与空穴试图重新建立热平衡，而过剩自由电子与空穴的复合过程就是重新建立热平衡的过程；这些自由电子和空穴一旦产生，就被电场扫出空间电荷区。由空间荷区自由电子和空穴移动所产生的电流，就是PN结反向电流。理想反向饱和电流密度与反向偏压无关，但实际反偏电流却跟空间电荷区宽度（反向偏压）有关，所以反偏电流密度不再与反偏电压无关。

6. PN结正偏电流，PN结总正偏电流密度是：复合电流密度和理想扩散电流密度之和； 如图为对数坐标上的复合电流和理想扩散电流，两条曲线的斜率不同；电流密度较低时（小注入）复合电流占主导，而电流密度较高（大注入）时，扩散电流占主导地位（电导调制作用）。

1, PN结正偏复合电流：当PN结外加正偏电压时，自由电子和空穴穿过空间电荷区注入到相应的区域，空间电荷区没有过剩载流子，因此自由电子和空穴在穿越空间电荷区时有部分载流子会发生复合，而并不成为少子分布的一部分；

2, 理想扩散电流密度：如下图显示为电中性N区内的少子（空穴）的浓度，该少子分布形成了PN结的理想扩散电流密度，且它是外加电压与少子（空穴）扩散长度的函数；

7. 反向PN结击穿：对于理想PN结反向偏压，会在PN结内形成一股很小的反偏电流，但是反偏电压不能无限制地增加；在特定条件下反偏电流会快速增大；发生该现象时的电压为击穿电压；PN结击穿的物理机制有两种：齐纳击穿和雪崩击穿。

1, 齐纳击穿：重掺杂的PN结由于隧穿机制而发生齐纳击穿；在重掺杂PN结内，反偏条件下PN结两侧的导带和价带离得非常近，以至于电子可以由P区的价带直接隧穿到N区的导带；（稳压二极管掺杂浓度要高，空间电荷区宽度很小，电场强度很大；半导体与金属接触的欧姆电阻，其中一种方式就是隧穿）

2, 雪崩击穿：由于电场作用，当电子穿越空间电荷区时能量会增加，当增加到一定程度并与耗尽区原子内的电子发生碰撞时，便会产生新的自由电子-空穴对；新的自由电子又会撞击其它原子内的电子，于是发生了雪崩效应。由于雪崩效应，电子电流会随着距离的增加而增大。（TVS管掺杂浓度要低，空间电荷区宽度要大）

写在最后

PN结是半导体器件的基石，所有半导体器件复杂的特性，都可以基于PN结推导出来。说实话，关于PN结本章内容只描述了其皮毛，有非常多的理论计算和推导已被我省略，不是故意省略（不然可以写出来显摆一下），而是我的确没看懂，哈哈。有兴趣的同学们可以学习《半导体材料》相关书籍。

那哪些内容是作为硬件工程师需要去深入理解的呢，我想还是需要从PN结的特性出发，来理解器件会的特性：

1. 理解PN结的正向导通，反向截止，反向击穿等特性原理；

2. 理解载流子导电的行为模型；

3. 理解由于PN结特性导致的器件参数的真正意义。

插个题外话，做过几年硬件设计的同学应该都知道大多芯片资料提供了结温Tj，大多元器件以结温作为判断器件温度应力是否超标的标准，那么这个结温到底是指哪里的温度呢？我想大家看完本章之后应该都能猜到了，结温指的就是器件中PN结的温度。

接下来，我们要进入具体器件的原理和应用专题，如果有疑问的地方，那就需要各位同学重新来回顾本章的内容，那些有的没的、扯淡的、瞎讲的东西。

本章部分相关内容和图片参考自：唐纳德.A.尼曼-《半导体物理与器件》；知乎-木旦文《二极管5：PN结原理漫谈》；以及其它网络相关技术分享文章。下一章《从PN结到二极管基础》。

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