硬件基础（3）：三极管（1）：理论基础

最新推荐文章于 2025-02-27 21:17:00 发布

魂兮-龙游

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分类专栏：嵌入式硬件开发文章标签：嵌入式硬件嵌入式开发硬件开发三极管硬件电路原理

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2.1 截止区（Cutoff Region）

2.2 放大区（Active Region）

2.3 饱和区（Saturation Region）

三极管（Transistor）是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件，因其具有放大、开关等多种功能，成为现代电子技术的基础组件之一。接下来，我将详细介绍三极管。

一、背景

三极管的发明起源于20世纪40年代，是由美国贝尔实验室的约翰·巴丁、沃尔特·布拉顿和威廉·肖克利三位科学家共同发明的。1956年，三位科学家因为这项发明获得了诺贝尔物理学奖。三极管的发明被认为是电子技术的一次革命，它的出现取代了传统的电子管，体积更小、功耗更低、效率更高。

二、定义

三极管（BJT，双极型晶体管）是通过在同一个硅片上利用不同的掺杂方式形成三个区域，并在它们之间形成两个PN结，从而构成的电子元器件，其主要功能是放大信号或开关电子信号（在实际使用中三极管多用于开关功能，一般不做放大使用，因为三极管放大系数不稳定，受温度影响较大）。

三极管有三个端口：基极（B），集电极（C），发射极（E）。根据结构类型，三极管主要有两种类型：NPN型和PNP型。

NPN PNP

三、分类

根据材料和结构，三极管可以分为不同类型，常见的分类方式如下：

分类依据	分类类型	描述
材料类型	硅三极管（Si）	采用硅作为半导体材料，具有较好的稳定性和广泛应用。
材料类型	锗三极管（Ge）	采用锗作为半导体材料，具有较好的电子流动性，但耐热性较差。
工作类型	放大型三极管	主要用于信号放大，如音频放大、射频放大等。
工作类型	开关型三极管	用于信号的开关控制，如继电器、开关电源等。
结构类型	NPN型三极管	基极为P型半导体，发射极为N型半导体，集电极为N型半导体。
结构类型	PNP型三极管	基极为N型半导体，发射极为P型半导体，集电极为P型半导体。

补充：N型半导体带负电（充满自由电子），P型半导体带正电（充满空穴，空穴带正电）。

四、工作原理

三极管的工作原理主要基于半导体的电流控制特性。简言之，三极管的工作依赖于基极电流的控制作用。它的工作区域分为三个：截止区、放大区和饱和区。下面是更详细的分析：

NPN三极管工作原理

基本工作原理

基本构造与工作区域：
- NPN三极管由三个区域组成：发射极（E）、基极（B）和集电极（C），其中发射极和基极之间形成发射结，基极和集电极之间形成集电结。
  
  NPN三极管结构
电流控制：
- 三极管本身不能将小电流直接变为大电流，它的作用是通过基极电流（Ib）控制流过集电极和发射极之间的电流（Ic）。这一过程依赖于基极电流对集电极电流的放大作用。
  
  NPN PNP
  
  NPN三极管工作原理图
发射极电流（Ie）：

发射结加上正向电压（Vbe，即 Power 和 GND 之间的电压），导致发射极的电子扩散到基极区，发射极电流（Ie）是从发射极流出的电子数量。
这些电子经过发射结（发射极与基极之间的PN结）进入基区，形成发射极电流（Ie）。
Ie是由扩散运动形成的。
基极电流（Ib）：

一部分发射极的自由电子在基极区与空穴复合，形成基极电流（Ib）。
因为基极的区域非常薄，而且掺杂浓度较低，所以基极Ib电流是非常小的，通常比集电极电流（Ic）小几个数量级，
Ib是由发射极电子和基区空穴复合形成的。
集电极电流（Ic）：

另一部分发射极的自由电子并不与基极的空穴复合，而是漂移至集电区，并最终流入集电极，这部分电流就是集电极电流（Ic）。
集电结加上反向电压（Vce，即 3.3V 和 GND之间的电压）&#