01、概念
Pilot Run 试运行;初步操作试验;小批试产;
02、为什么要PiRun
pirun源于两方面,无法对工艺结果进行精确预测和加工结果获得有延时。
应对措施则是用wafer进行小批量pirun,测量获得工艺结果后,并采取手动调节工艺参数/APC自动调节参数/不调节等控制策略,再进行连续run。
这就好比上了一碗面,先尝一小口试试冷热,咸淡是否合适,需不需要添加调料或者冷却。做完这类判断后再大快朵颐。
03、PiRun 工艺应用之CMP
至于为何类似于CMP工艺无法精确预测,则是CMP本身的复杂性导致的。
而加工结果获得延时,则是来源于加工和量测是步骤分离的。CMP抛光后需要进行多步清洗与干燥后才能进行量测,量测相对于加工的延时甚至高达十分钟,间隔十几片wafer。
fab厂半导体CMP(化学机械抛光)在实际生产之前通常需要进行pilotrun(试生产),主要原因如下:
1.工艺验证:
pilot run可以用来验证CMP工艺的可行性和稳定性。通过进行小规模的试生产,可以评估CMP过程的效果、抛光结果的一致性以及所需的工艺参数。这有助于发现和解决潜在的问题,确保在实际生产中能够获得良好的抛光效果。
2.工艺优化:
pilot run还可以用来进行工艺优化。在试生产过程中,可以尝试不同的工艺参数、抛光液配方和设备设置,以找到最佳的抛光条件和参数组合。通过不断调整和优化,可以提高抛光效率、降低表面缺陷和提高产品质量。
3.设备调试:
pilot run也可以用来进行设备调试和验证。在试生产过程中,可以检查和调整CMP设备的各项参数,确保设备正常运行并满足生产要求。这包括调整抛光头的压力、速度和旋转方向以及校准液体供给系统和控制系统
4.成本评估:
通过pilot run可以进行成本评估。试生产可以提供实际的抛光效果和工艺参数,从而可以计算出每片晶圆的抛光成本。这有助于评估CMP工艺的经济性和可行性,为实际生产的成本控制和预算制定提供参考
05.顺便科普-CMP工艺:
在半导体制造过程中,CMP(化学机械抛光)是一项重要的工艺步骤,用于平坦化晶圆表面。在CMP过程中,为了确保均匀的抛光效果,常常需要使用抛光液喷射,其要点如下:
1.均匀性控制:CMP过程中,抛光液需要均匀地分布在晶圆表面,以确保整个表面都能得到适当的抛光。
2.清洗和冲洗:在CMP过程中,抛光液中的磨料和杂质可能会残留在晶圆表面,通过喷射清洗液或冲洗液,帮助去除这些残留物,保持表面的干净。
3.控制抛光速率:抛光液的喷射可以影响抛光速率。通过调整喷射参数,如喷射压力、喷射位置和喷射角度,可以控制抛光液在晶圆表面的分布和流动,从而调节抛光速率。