DDR读写信号分离

DDR通过DQ与DQS区分读操作和写操作,其区分方式如下:

  1. DQ和DQS的skew:读数据时边沿对齐、写数据时中央对齐。(可以这样理解在读操作时DQ和DQS的跳变是同步的,而在写操作时DQS的跳变则领先于DQ。
  2. DQS的preamble负脉冲宽度:DDR2的读操作的DQS第一个负脉冲宽度约为Tck,写操作的DQS第一个负脉冲大于0.35Tck,通常读数据的DQS第一个负脉冲远大于写数据的。
  3. DQ和DQS的信号幅度:靠近DRAM颗粒测试时,写操作的信号幅度小于读操作的信号幅度,靠近内存控制器测试时,前者大于后者。

DDR2写操作波形

图1. DDR2写操作波形

图2. DDR2读操作波形

图3. DDR2读写操作波形对比

 

 

 

 

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FPGA(现场可编程门阵列)是一种可让用户自行定义和配置其内部电路功能的集成电路芯片。DDR(双倍数据速率)是一种内存技术,可实现数据的高速读写。FPGA和DDR可以结合使用来实现高性能的数据处理和存储。 首先,FPGA需要通过相应的接口与DDR进行连接。常见的接口包括DDR控制器和PHY(物理层接口)。DDR控制器负责配置DDR芯片的操作,设置读写时序和控制信号等。PHY则负责物理层的信号转换和数据传输。 在进行DDR读操作时,FPGA首先发送读请求到DDR控制器,控制器根据请求的地址和时序来控制DDR芯片进行读取。DDR芯片将请求的数据从存储器中读取出来,并通过PHY转换成符合FPGA内部电路处理的格式,然后传输给FPGA。 在进行DDR写操作时,FPGA将待写入的数据发送到DDR控制器,控制器负责将数据写入DDR芯片的相应地址。DDR芯片接收到数据后,通过PHY转换成电信号,然后将数据写入到存储器中。 为了保证DDR读写正确性和稳定性,需要进行时序和电气参数的校准。时序校准可以确保读写操作在正确的时钟边沿进行。电气参数校准可以通过发送特定的测试信号来调整和校准DDR控制器和PHY之间的电气参数,以提高数据稳定性和传输质量。 总结而言,FPGA和DDR可以配合使用,实现高速和大容量的数据处理和存储。使用适当的接口、控制器和PHY,可以实现稳定可靠的DDR读写操作。时序和电气参数的校准对于保证DDR读写的正确性和稳定性非常重要。
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