DDR通过DQ与DQS区分读操作和写操作,其区分方式如下:
- DQ和DQS的skew:读数据时边沿对齐、写数据时中央对齐。(可以这样理解在读操作时DQ和DQS的跳变是同步的,而在写操作时DQS的跳变则领先于DQ。
- DQS的preamble负脉冲宽度:DDR2的读操作的DQS第一个负脉冲宽度约为Tck,写操作的DQS第一个负脉冲大于0.35Tck,通常读数据的DQS第一个负脉冲远大于写数据的。
- DQ和DQS的信号幅度:靠近DRAM颗粒测试时,写操作的信号幅度小于读操作的信号幅度,靠近内存控制器测试时,前者大于后者。
图1. DDR2写操作波形
图2. DDR2读操作波形
图3. DDR2读写操作波形对比