长江存储Nand闪存芯片和SSD解决方案

一、自主知识产权的晶栈Xtacking架构

2018年8月，长江存储在2018 FMS峰会上首次发布了晶栈Xtacking®1.0架构闪存技术，其创新点在于将CMOS晶片和存储单元晶片结合。让人眼前一亮的是，Xtacking的I/O速度高达3Gbps，这个性能甚至达到DDR4内存的水平，远超普通闪存I/O接口1Gbps左右的传输速率。同时Xtacking架构可以减少30-50%的芯片面积，能够实现比传统堆叠NAND闪存更高的存储密度。

图2：Xtacking架构示意图

2019年，搭载Xtacking® 架构的第二代长江存储TLC 3D NAND闪存正式投入量产，与此同时，长江存储在IC China 2019推出更新版本的Xtacking2.0架构，进一步提升NAND吞吐速率、改善系统级存储的综合性能、并开启定制化NAND的全新商业模式。

2022年，长江存储推出了基于Xtacking®3.0技术的第四代TLC三维闪存X3-9070，据悉其堆叠层数或已达到了业界领先的232层，符合ONFI 5.0标准，可以实现高达2400MT/s的传输速度，相比上一代产品性能提升 50%，4通道就可以实现PCIe 4.0 x4总线饱和（8000MT/s）。对此，知名行业调研机构TechInsights将Xtacking3.0视为2022年最具颠覆性的技术之一。

二、长江存储的产品系列<