P0603BVG-VB_MOSFET产品应用与参数解析

最新推荐文章于 2024-05-22 11:07:26 发布
最新推荐文章于 2024-05-22 11:07:26 发布
阅读量74 收藏
点赞数
分类专栏： mosfet型号参数解析 文章标签： MOS管 mosfet MOS vbsemi P0603BVG
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/VBsemi/article/details/134166020
版权

型号 P0603BVG丝印 VBA1311品牌 VBsemi参数 - 频道类型 N沟道- 额定电压 30V- 额定电流 12A- RDS(ON) 12mΩ @ 10V，15mΩ @ 4.5V- 门源电压范围 ±20V- 门源阈值电压范围 0.8V~2.5V- 封装类型 SOP8

应用简介 P0603BVG（丝印 VBA1311）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介 详细参数说明 P0603BVG是一款N沟道功率MOSFET，具有适中的电压和电流承载能力。主要参数包括额定电压为30V，额定电流为12A，RDS(ON)为12mΩ @ 10V，15mΩ @ 4.5V，门源电压范围为±20V，门源阈值电压范围为0.8V~2.5V，封装类型为SOP8。应用领域 P0603BVG（VBA1311）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要N沟道功率MOSFET的电路。以下是一些典型的应用领域 1. 电源管理模块 P0603BVG可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。2. 电动工具和家用电器 它可应用于电动工具和家用电器中的电机驱动电路，提供高效、可靠的电力输出。3. 低电压电路 P0603BVG适用于低电压电路中的开关电路，提供稳定的电流控制。综上所述，P0603BVG（VBA1311）是一款N沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电动工具和低电压电路等领域模块。它具有适中的电压和电流承载能力，适用于需要高功率和高效能的电路。

微碧VBsemi
关注
  • 0
    点赞
  • 踩
  • 0
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 0
    评论
专栏目录
京东滑块验证逆向分析与算法还原
吴秋霖的博客
04-05 3558
京东滑块参数逆向分析与算法还原！协议过滑块验证爬虫必备技能～
Part4_场景_第52章 场景描述&第53章 柏林I：BVG场景&第54章 柏林II：CEMDAP-Matsim-Cadyts方案
weixin_47687315的博客
11-28 289
本书的最后一部分总结了MATSIM场景，如图52.1中的地图所示，并在http://matsim.org/scolutions中列出。尽管存在基于免费和公共数据的真实场景，如圣地亚哥或科特布斯场景（第84或66章），但由于数据隐私问题，许多场景是不公开的。然而，了解适用于情景创建的一般方法和途径，并理解在这些过程中面临的问题，可能会极大地支持和鼓励新情景的构建。以下各章提供了关于研究区域、人口和需求产生、活动地点、网络、模拟模式、校准和验证、取得的结果以及相关项目的信息。
P1504BVG-VB一款N—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOS的博客
05-22 406
**静态电阻:** RDS(ON) = 14mΩ @ VGS=10V, VGS=20V。3. **工业电源模块:** 用于各种需要高性能N沟道MOSFET的工业电源管理应用。1. **电动汽车电源系统:** 在电动汽车的电源开关电路中，提供高性能和可靠性。- **阈值电压:** Vth = 1.6V。- **沟道类型:** N-Channel。- **丝印:** VBA1410。- **额定电压:** 40V。- **额定电流:** 10A。- **封装:** SOP8。**详细参数说明:**
P0804BVG-VB一款N—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi的博客
05-22 205
**静态电阻:** RDS(ON) = 14mΩ @ VGS=10V, VGS=20V。1. **电动汽车电源系统:** 在电动汽车的电源开关电路中，提供高性能和可靠性。3. **电源管理模块:** 用于各种需要高性能N沟道MOSFET的电源管理应用。- **阈值电压:** Vth = 1.6V。- **沟道类型:** N-Channel。- **丝印:** VBA1410。- **额定电压:** 40V。- **额定电流:** 10A。- **封装:** SOP8。**详细参数说明:**
P2804BVG-VB一款N—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOS的博客
05-22 261
**静态电阻:** RDS(ON) = 14mΩ @ VGS=10V, VGS=20V。1. **电动工具:** 在电动工具的电源开关电路中，提供可靠的高性能。2. **电源逆变器:** 适用于要求高效率和高性能的逆变器设计。- **阈值电压:** Vth = 1.6V。- **沟道类型:** N-Channel。- **丝印:** VBA1410。- **额定电压:** 40V。- **额定电流:** 10A。- **封装:** SOP8。**详细参数说明:**
基于Docker的Nginx部署教程_nginx使用docker部署应用
2301_79055814的博客
05-02 313
是一款高性能、轻量级、稳定性高、并发性好的 Web 服务器 、反向代理服务器及电子邮件（IMAP/POP3）代理服务器。广泛应用于Http服务、负载均衡、反向代理等实用场景。其配置简单、配置语法简洁，社区活跃，学习成本低等优点，使其成为最受欢迎的的服务器应用之一。
【愚公系列】2021年11月 攻防世界-进阶题-MISC-007(Aesop_secret)
热门推荐
时光隧道
10-30 4万+
Aesop_secret18 由题目可知是aes解密 使用stegsolve打开-file format在末尾发现一串字符串 U2FsdGVk X19QwGkc gD0fTjZx gijRzQOG bCWALh4s RDec2w6x sY/ux53V uj/AMZBD J87qyZL5 kAf1fmAH 4Oe13Iu4 35bfRBuZ gHpnRjTB n5+xsDHO NiR3t0+O a8yG/tOK JMNUaued vMyN4v4Q KiFunw== 进行AES解密时，发现需要密钥，尝试填入
item_search - 按关键字搜索EBAY商品
QQ569893796的博客
08-23 5055
以上是电商平台的API应用开发的关键流程，其中通过平台文档中心和API测试工具，进行概念了解和接口信息查询很重要。lazada 的API很多，不过都分为了好几个领域，慢慢就会了解深入了。4）利用SDK接口和对象，传入AppKey或者必要的时候获取并传入SessionKey来进行程序开发。5）利用平台提供的API文档中心和测试工具，对接口进行测试。从而了解返回信息，方便程序获取。3）下载平台API的SDK并掌握基本的API基础知识和调用。为了进行电商平台API开发，我们需要做下面几件事情。
【PIN二极管，肖特基二极管,内部结构说明][MOSFET，IGBT、内部结构_开通关断过程及损耗_驱动功率计算】
weixin_43166304的博客
05-30 2万+
一、两类典型的 金属-半导体结 https://wenku.baidu.com/view/a8703f75bb68a98270fefa09.htmlhttps://wenku.baidu.com/view/a8703f75bb68a98270fefa09.html （1）肖特基结（SBD）：此时半导体参杂浓度较低，具有单相导电性能，与PN结类似； （2）欧姆接触：当半导体参杂浓度很高时，无论是加正向电压还是反向电压，电流随电压快速增加，理想时呈线性关系，且电阻很小。半导体与金属接触时，多会形成势垒层，
P0603BVG-VB-MOSFET产品应用与参数解析
11-01
**P0603BVG MOSFET产品详解** P0603BVG是一款N沟道MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），由VB Semiconductor制造。这款器件具有高效率和高性能的特点，特别适用于笔记本CPU核心的高侧同步整流器操作。以下是对...
P2804BVG-VB一款N-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
05-22
### P2804BVG-VB N-Channel沟道SOP8 MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 #### 概述 P2804BVG-VB是一款采用SOP8封装形式的N-Channel沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有低导通电阻、高可靠性以及符合...
P1504BVG-VB一款N-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
05-22
### P1504BVG-VB N-Channel沟道SOP8 MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 #### 概述 P1504BVG-VB是一款采用SOP8封装形式的N-Channel沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有低导通电阻、高可靠性等特点。该...
P0804BVG-VB一款N-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
05-22
### P0804BVG-VB N-Channel沟道SOP8 MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 #### 概述 P0804BVG-VB是一款采用SOP8封装形式的N-Channel沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有低导通电阻、高可靠性以及符合...
bvg-rest:柏林和勃兰登堡州公共交通的HTTP API
05-23
docker run -d -p 3000:3000 derhuerst/bvg-rest:5 注意： Docker映像不包含Redis服务器。 手动地 git clone https://github.com/derhuerst/bvg-rest.git cd bvg-rest git checkout 5 npm install --production ...
聚类算法实现本次作业实现了3个经典算法：KNN算法、K-Means算法、朴素贝叶斯算法
最新发布
08-15
本次作业实现了3个经典算法：KNN算法、K-Means算法、朴素贝叶斯算法。
LSTM的批处理智慧：解锁高效序列学习之门
08-15
LSTM（Long Short-Term Memory）是一种特殊类型的循环神经网络（RNN），它能够学习长期依赖关系。LSTM由Hochreiter和Schmidhuber在1997年首次提出，它是为了解决传统RNN在处理长序列数据时遇到的梯度消失或梯度爆炸问题而设计的。 LSTM的关键特性是它的单元结构，这些单元具有以下三个主要组件： 1. **遗忘门（Forget Gate）**：遗忘门决定哪些信息应该从单元状态中被丢弃。它通过一个sigmoid激活函数来实现，输出一个0到1之间的值，表示保留信息的程度。 2. **输入门（Input Gate）**：输入门由两部分组成，一部分是sigmoid层，决定哪些值将要更新存储在单元状态的信息；另一部分是tanh层，创建一个新的候选值向量，它可以被加入到状态中。 3. **输出门（Output Gate）**：输出门决定下一个隐藏状态的值，它通过sigmoid层来确定隐藏状态的哪些部分将被输出，然后通过tanh层来计算最终的输出值。 LSTM的单元结构允许网络在每个时间步长上选择性地保留或更新信息，这使得LSTM非常适合处理和预
毕业设计asp.net招聘网站源码含文档工具包
08-15
毕业设计asp.net招聘网站源码含文档工具包 asp.net，数据库sqlserver，开发工具用Microsoft Visual Studio 学生用户 求职应聘 登录系统 岗位消息 管理员 新闻动态 毕业生信息 登录系统后台 招聘公司 毕业生注册 系统后台 公司注册 联系我站 用户管理 数据备份 数据恢复 帐号管理 包含：源码、数据库脚本、论文、答辩ppt、开题报告、环境工具包（在说明文档中）
聚类算法新纪元：动态更新机制的突破与实践
08-15
聚类算法是一种无监督学习算法，用于将数据集中的样本分组，使得同一组内的样本相似度高，而不同组之间的样本相似度低。聚类算法的目标是发现数据的内在结构，而不需要事先给出标签或指导信息。 聚类算法的常见类型包括： 1. **K-Means 聚类**：这是最常用的聚类算法之一，通过迭代选择K个中心点，将数据点分配到最近的中心点所代表的簇中，然后更新中心点的位置，直到满足停止条件。 2. **层次聚类**：这种算法不需要预先指定簇的数量，它通过逐步合并或分裂来构建一个层次嵌套的簇树。 3. **DBSCAN (Density-Based Spatial Clustering of Applications with Noise)**：基于密度的聚类算法，可以发现任意形状的簇，并且对噪声点具有较好的鲁棒性。 4. **Mean Shift 聚类**：这是一种基于密度的非参数聚类算法，通过寻找密度函数的局部极大值点来确定簇的中心。 5. **Spectral Clustering 谱聚类**：这种算法使用数据的谱特性来进行聚类，通常涉及到将数据映射到低维空间。 6. **Affinit
钟形振子角速率陀螺振动特性与新型BVG检测法
作者从理论上验证了这种方法的合理性，通过数学建模和仿真，证明了利用多传感器融合可以有效地提取并解析BVG的信号，对于提升BVG系统的性能和实用性具有重要的指导意义。此外，他们还提供了论文的网络出版地址，方便...
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值