QM0008K-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**产品详细参数说明:**

- **型号:** QM0008K-VB
- **丝印:** VB1102M
- **品牌:** VBsemi
- **封装:** SOT23
- **参数:**
  - 沟道类型: N-Channel
  - 最大承受电压: 100V
  - 最大电流: 2A
  - 静态开态电阻 (RDS(ON)): 246mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
  - 阈值电压 (Vth): 2V

**应用简介:**

QM0008K-VB是一款SOT23封装的N-Channel MOSFET，适用于多种电子应用。

**示例应用场景:**

1. **电源开关模块:**
   - 由于其N-Channel沟道和较高的最大承受电压，QM0008K-VB可用于电源开关模块，如电源开关和电源逆变器。

2. **电机驱动模块:**
   - 适用于电机驱动模块，例如直流电机驱动，由于其较高的电流和电压特性。

3. **LED驱动模块:**
   - 在需要对LED进行驱动和控制的模块中，QM0008K-VB可用于LED驱动电路。

4. **电流控制模块:**
   - 由于其较低的静态开态电阻和N-Channel特性，可用于需要对电流进行精确控制的模块，如电流源。

请注意，具体的应用取决于项目的具体需求和设计要求。在使用之前，请仔细阅读产品规格和数据手册以确保正确的应用。