UT2321L-AE3-R-VB一种P—Channel沟道SOT23封装MOS管

**VBsemi UT2321L-AE3-R-VB**

- **参数说明:**
  - 类型: P—Channel MOSFET
  - 额定电压（V_DS）: -30V
  - 额定电流（I_D): -5.6A
  - 静态电阻（RDS(ON)）: 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
  - 阈值电压（Vth): -1V

- **封装:**
  - 类型: SOT23

- **应用简介:**
  - 高性能P—Channel MOSFET，适用于要求高导通电流和低导通电阻的电源和开关应用。

- **领域应用:**
  - 电源管理模块
  - 电池保护电路
  - 电机驱动器
  - DC-DC转换器

- **特色:**
  - 优越的导通特性
  - 适用于低电压和高频率应用
  - SOT23封装适用于小型设计

*注意: 以上信息仅供参考，具体应用需要根据系统要求和设计考虑。*