093N06N-VB是VBsemi推出的TO220封装单路N沟道MOSFET产品。以下是该产品的详细参数说明:
- **包装:** TO220
- **配置:** 单路N沟道
- **漏极-源极电压(VDS):** 60V
- **栅极-源极电压(VGS):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON)):** 13mΩ @ VGS=4.5V, 11mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID):** 60A
- **技术:** Trench
该产品适用于以下领域和模块:
1. **电源模块:** 由于其较高的漏极-源极电压(VDS)和漏极电流(ID)能力,适用于电源模块的开关和控制。
2. **电机驱动模块:** 可用于电机驱动模块中的开关和控制,具有较低的导通电阻和较高的电流能力。
3. **LED照明模块:** 作为LED照明模块的开关元件,具有较低的导通电阻和较高的漏极-源极电压能力。
4. **电动车充电模块:** 适用于电动车的充电模块,能够承受较高的电压和电流。
5. **电源管理模块:** 用于电源管理模块中的开关和控制,具有良好的稳定性和可靠性。
以上是093N06N-VB MOSFET产品的详细介绍和应用领域说明。