10N60-VB TO220F一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管

### 1. 产品简介

VBsemi的10N60-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO220F封装。它具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS），和3.5V的阈值电压（Vth）。这款MOSFET的导通电阻（RDS(ON)）为830mΩ（在VGS=10V时），最大漏极电流（ID）为10A。它采用了Plannar技术，适用于各种领域和模块。

### 2. 参数说明

- 封装：TO220F
- 构型：单N沟道
- 漏极-源极电压（VDS）：650V
- 栅极-源极电压（VGS）：30V（±V）
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 导通电阻（RDS(ON)）：830mΩ @ VGS=10V
- 最大漏极电流（ID）：10A
- 技术：Plannar

### 3. 应用领域和模块

- **电源**：10N60-VB的高漏极-源极电压和低导通电阻使其非常适合用于开关电源和逆变器中。
- **电动汽车**：在电动汽车的电力传输和控制系统中，这款MOSFET可以用于控制电动机和其他高压设备。
- **工业控制**：可用于各种工业控制应用，如PLC（可编程逻辑控制器）、工业自动化和机器人控制。
- **照明**：由于其高电压和高电流特性，可用于LED照明驱动器和电源。
- **太阳能逆变器**：在太阳能逆变器中，这款MOSFET可以用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。

这些是一些10N60-VB可以应用的领域和模块的例子，但实际上，它在各种高压应用中都有潜在的用途。