VBsemi的MOSFET产品10N60W-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO3P封装。它的主要技术特点包括可靠的600V漏极-源极电压(VDS),以及30V的门极-源极电压(VGS,±V),门极阈值电压(Vth)为3.5V。在VGS=10V时,其导通电阻(RDS(ON))为380mΩ,额定漏极电流(ID)为11A。该产品采用了SJ_Multi-EPI技术。
这款MOSFET适用于许多领域和模块。举例来说,在电源领域,它可以用于开关电源、逆变器和充电器等应用。在工业控制领域,它可以用于电机驱动器和自动化控制系统。在照明领域,它可以用于LED驱动器和照明控制。此外,在汽车电子中,它可以应用于电动汽车充电桩和车载电子系统。总的来说,10N60W-VB适用于需要高性能、高可靠性的功率开关和控制的各种领域和模块。