### 产品简介
VBsemi的147N03L-VB是一款单N沟道MOSFET,采用Trench技术,具有30V的漏极-源极电压(VDS)和20V的栅极-源极电压(VGS)。该器件的漏极-源极导通电阻(RDS(ON))在VGS=4.5V时为18mΩ,VGS=10V时为12mΩ,具有50A的漏极电流(ID)和1.7V的阈值电压(Vth)。
### 参数说明
- **型号**: 147N03L-VB
- **封装**: TO263
- **结构**: 单N沟道
- **VDS(漏极-源极电压)**: 30V
- **VGS(栅极-源极电压)**: 20V(±)
- **Vth(阈值电压)**: 1.7V
- **RDS(ON)(漏极-源极导通电阻)**:
- VGS=4.5V时:18mΩ
- VGS=10V时:12mΩ
- **ID(漏极电流)**: 50A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
1. **电源管理**: 由于147N03L-VB具有较低的漏极-源极导通电阻和适中的漏极电流容量,适用于一些低功率的电源管理系统中的功率开关和控制电路。
2. **LED照明**: 在LED照明系统中,MOSFET通常用作开关元件。147N03L-VB可用于LED照明驱动器和控制器,提供稳定的电流和照明控制。
3. **电池管理**: 在一些需要电池管理的应用中,该器件可用于充放电控制和电池保护电路,确保电池的安全和稳定性。
4. **汽车电子**: 在汽车电子系统中,MOSFET通常用于各种控制电路和功率开关。147N03L-VB可用于汽车电子系统中的功率开关和控制电路。
以上领域和模块仅为示例,实际应用取决于具体设计要求和环境。