147N03L-VB TO263一种N-Channel沟道TO263封装MOS管

### 产品简介

VBsemi的147N03L-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，具有30V的漏极-源极电压（VDS）和20V的栅极-源极电压（VGS）。该器件的漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）在VGS=4.5V时为18mΩ，VGS=10V时为12mΩ，具有50A的漏极电流（ID）和1.7V的阈值电压（Vth）。

### 参数说明

- **型号**: 147N03L-VB
- **封装**: TO263
- **结构**: 单N沟道
- **VDS（漏极-源极电压）**: 30V
- **VGS（栅极-源极电压）**: 20V（±）
- **Vth（阈值电压）**: 1.7V
- **RDS(ON)（漏极-源极导通电阻）**: 
  - VGS=4.5V时：18mΩ
  - VGS=10V时：12mΩ
- **ID（漏极电流）**: 50A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块示例

1. **电源管理**: 由于147N03L-VB具有较低的漏极-源极导通电阻和适中的漏极电流容量，适用于一些低功率的电源管理系统中的功率开关和控制电路。
2. **LED照明**: 在LED照明系统中，MOSFET通常用作开关元件。147N03L-VB可用于LED照明驱动器和控制器，提供稳定的电流和照明控制。
3. **电池管理**: 在一些需要电池管理的应用中，该器件可用于充放电控制和电池保护电路，确保电池的安全和稳定性。
4. **汽车电子**: 在汽车电子系统中，MOSFET通常用于各种控制电路和功率开关。147N03L-VB可用于汽车电子系统中的功率开关和控制电路。

以上领域和模块仅为示例，实际应用取决于具体设计要求和环境。