1N50L-TA3-T-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介：
VBsemi 1N50L-TA3-T-VB是一款单N沟道功率MOSFET，具有650V的漏极-源极电压（VDS）和30V的最大门极-源极电压（VGS）。采用Plannar技术，适用于低功率电子应用。

### 详细参数说明：
- **封装：** TO220
- **器件类型：** 单N沟道MOSFET
- **漏极-源极电压（VDS）：** 650V
- **最大门极-源极电压（VGS）：** ±30V
- **阈值电压（Vth）：** 3.5V
- **漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）：**
  - VGS = 4.5V时：3900mΩ
  - VGS = 10V时：3120mΩ
- **漏极电流（ID）：** 2A
- **技术：** Plannar

### 应用领域和模块示例：
1. **低功率开关电源：** 1N50L-TA3-T-VB适用于低功率开关电源和直流-直流转换器，在一些低功率应用场合具有经济性和实用性。
2. **照明控制器：** 在LED照明系统中，这款MOSFET可用于开关控制器，实现照明系统的高效能量转换。
3. **工业控制系统：** 1N50L-TA3-T-VB可用于工业控制系统中的低功率开关器件，提供可靠的电力控制。
4. **汽车电子：** 在汽车电子领域，这款MOSFET可以用于车载直流-直流转换器和车灯控制器，提供高效的能量转换和电力控制。

以上示例说明了1N50L-TA3-T-VB MOSFET在低功率应用中的潜在应用领域，展示了其在各种场景中的实际应用价值。