252N10NSF-VB一种N-Channel沟道DFN8(5X6)封装MOS管

### 252N10NSF-VB 产品简介

252N10NSF-VB 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET，采用了 DFN8(5X6) 封装。它适用于要求较高电压和电流的应用，具有优异的导通电阻和漏极电流能力。采用了沟槽技术，具有良好的性能和可靠性，适用于各种电源管理和开关应用。

### 252N10NSF-VB 详细参数说明

- **封装类型**: DFN8(5X6)
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 100V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **门限电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 17mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 30A
- **技术类型**: Trench

  

### 应用领域和模块举例

**电源供应器**:
252N10NSF-VB 可用于各种电源供应器中的开关和功率控制。其高额定电压和电流能够满足高功率电源的需求。

**工业电子**:
在工业电子设备中，该产品可用于各种工业设备的电源管理和开关。其高性能和可靠性使其成为工业自动化领域的理想选择。

**电动工具**:
在电动工具中，252N10NSF-VB 可用于电动工具的电源管理和控制。其高漏极电流能力有助于提高电动工具的效率和性能。

**电动汽车充电桩**:
在电动汽车充电桩中，该产品可用于高压开关和电源管理。其高额定电压和电流确保了电动汽车充电桩的高效率和可靠性。

252N10NSF-VB 通过在多种高压高性能应用中的广泛应用，展示了其作为高性能 MOSFET 的优越性能，为工程师提供了一种可靠的解决方案。