118N10NS-VB一种N-Channel沟道DFN8(5X6)封装MOS管

### 产品简介

VBsemi的118N10NS-VB是一款单N沟道MOSFET,采用Trench技术,具有高达100V的漏极-源极电压(VDS)和20V的栅极-源极电压(VGS)。该器件的漏极-源极导通电阻(RDS(ON))在不同栅极-源极电压下表现优异,如在VGS=4.5V时为12.36mΩ,在VGS=10V时为9mΩ。此外,118N10NS-VB具有65A的漏极电流(ID)和2.5V的阈值电压(Vth)。

### 参数说明

- **型号**: 118N10NS-VB
- **封装**: DFN8(5X6)
- **结构**: 单N沟道
- **VDS(漏极-源极电压)**: 100V
- **VGS(栅极-源极电压)**: 20V(±)
- **Vth(阈值电压)**: 2.5V
- **RDS(ON)(漏极-源极导通电阻)**: 
  - VGS=4.5V时:12.36mΩ
  - VGS=10V时:9mΩ
- **ID(漏极电流)**: 65A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块示例

1. **电源模块**: 由于118N10NS-VB具有较低的导通电阻和高漏极电流,适用于高性能电源模块,如DC-DC变换器和电源管理模块。
2. **电机驱动**: 在电机驱动中,MOSFET承担着开关电流的关键作用。118N10NS-VB可用于高效驱动各种类型的电机,如直流电机和步进电机。
3. **照明应用**: 由于其高漏极电流和低导通电阻,118N10NS-VB适用于LED照明驱动器和控制器,提供高效的能量转换和照明控制。
4. **汽车电子**: 在汽车电子领域,118N10NS-VB可用于制动系统、电动汽车充电器和车载电子设备的功率开关。
5. **工业自动化**: 由于其高电压和电流容量,该器件适用于工业自动化中的高功率开关应用,如工厂设备和机器人控制。

这些领域和模块仅是118N10NS-VB可能应用的几个示例,实际应用取决于具体设计要求和环境。

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