### 一、产品简介
**2SJ338-VB MOSFET** 是VBsemi 公司生产的一款高性能P-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用了先进的沟道技术,具有低导通电阻和高额定电压能力,适用于各种中高功率应用场景。
### 二、详细参数说明
- **封装形式**:TO252
- **配置**:单P-沟道
- **漏源电压(VDS)**:-150V
- **栅源电压(VGS)**:20V(±)
- **栅极阈值电压(Vth)**:-2V
- **导通电阻(RDS(ON))**:160mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID)**:-15A
- **技术类型**:沟槽技术
### 三、应用领域和模块举例
**应用领域:**
1. **电源管理**:
- 2SJ338-VB MOSFET 可以用于中高功率电源管理系统中,如电源逆变器、工业电机控制器等。
2. **汽车电子**:
- 在汽车电子系统中,该器件适用于汽车电动化领域,如电动汽车驱动系统、充电桩等高功率应用。
3. **工业控制**:
- 适用于工业自动化控制系统中的高功率开关和控制电路。
**模块应用举例:**
1. **电动汽车充电桩**:
- 用于电动汽车充电桩中的功率控制和转换电路,提供高效的充电服务。
2. **电源逆变器**:
- 在各种电源逆变器模块中,2SJ338-VB MOSFET 可以实现高效的电能转换。
3. **工业电机驱动器**:
- 适用于各种工业电机驱动器中,控制电机的启停和转速,提高工业生产效率。